【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及PMOS的制作方法，特别是涉及形成硅锗源漏结构的PMOS的集成工艺方法。
技术介绍
在源漏区域选择性外延生长硅锗是用于提高P通道晶体管(PMOS)性能的非常有前途的应变工程技术。通常是在多晶硅栅极间隔层形成以后，在源漏区域进行凹陷刻蚀和硅锗外延生长，然后去除多晶硅栅极上的硬掩模。然而，由于在间隔层形成过程中的热处理使多晶硅硬掩模的抗蚀性增强，刻蚀速率非常低，因此在不破坏间隔层的条件下不容易去除多晶硅的硬掩模。因为去除硬掩模层进行的刻蚀，使间隔层遭到侵蚀，导致器件短路等问题，严重影响器件性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种新的工艺方法，该方法采用先在源漏区域进行硅的凹陷刻蚀和硅锗的外延生长，然后再形成ONO型间隔层。因此，本方法可成功地将硅锗源漏结构集成于PMOS中，而且避免了对间隔层的破坏。本专利技术的形成硅锗源漏结构的集成工艺流程，包括如下步骤a)在硅衬底上进行浅沟隔离，在硅衬底上形成N/P井，栅极氧化层，多晶硅淀积，形成硬掩模淀积层，多晶硅光刻，多晶硅刻蚀，去除光刻胶，栅极再氧化，形成多晶硅栅极导电结构；b)栅极侧墙淀积牺牲侧墙间隔层...
【技术保护点】
形成硅锗源漏结构的集成工艺方法，包括如下步骤：ａ）在硅衬底上进行浅沟隔离，形成Ｎ井，栅极氧化层，多晶硅淀积，形成硬掩模淀积层；多晶硅光刻，多晶硅刻蚀，去除光刻胶，栅极再氧化，形成多晶硅栅极导电结构；ｂ）在多晶硅栅极侧墙淀积间 隔层材料，牺牲侧墙间隔层刻蚀，湿式清洗，形成自对准牺牲侧墙间隔层；ｃ）以多晶硅硬掩模和牺牲侧墙间隔层为掩模，进行硅衬底凹陷刻蚀；ｄ）在凹陷刻蚀的区域外延生长硅锗；ｅ）去除硬掩模和牺牲侧墙间隔层；ｆ）Ｐ型ＬＤＤ 掺杂注入；ｇ）淀积间隔层材料，间隔层刻蚀，湿式清洗形...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王东立，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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