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为制造多栅极晶体管，形成了具有均匀的特征尺寸的至少一个有源图案。从所述有源图案的暴露部分生长外延结构。从所述有源图案的至少两个表面形成所述晶体管的沟道区。利用所述外延结构形成源极和漏极。...
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