在相变存储单元中形成相变层制造技术

相变存储器单元包括半导体主体上相变材料的相变层。硬掩模结构在相变层上形成，且抗蚀掩模在硬掩模结构上形成。硬掩模通过使用抗蚀掩模成形硬掩模结构而形成。相变层使用硬掩模成形。抗蚀掩模在成形相变层之前被去除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造相变存储器单元的方法。
技术介绍
相变存储器使用在具有不同电特性的两个相之间切换的一类材料，这两个相与材料的两个不同结晶结构相关联，更确切地说是非晶体无序相和晶体或多晶体有序相。因此，这两个相与相当不同的电阻率值相关联。目前，称为硫属化物或硫属化物材料的周期表VI族元素(诸如Te和Se)的合金可有利地用于相变存储器单元。目前最有价值的硫属化物由Ge、Sb和Te的合金(Ge2Sb2Te5)形成，该合金目前广泛用于在可重写盘上存储信息并可用于大容量存储。在硫属化物中，当材料从非晶体(更为电阻性的)相过渡入晶体(更为导电性的)相时电阻率改变两个或多个数量级，反之亦然。相变可通过局部地升温来获得。在150℃以下，两个相都是稳定的。从非晶体状态开始并将温度升至200℃以上，微晶会快速成核，并且如果将材料保持在结晶温度达足够长的时间，它进行相变并变成晶体。为了将硫属化物变回非晶体状态，必须将温度升至熔解温度(约为600℃)以上，然后使该硫属化物快速冷却。制造相变存储器器件时的一个问题涉及使硫属化物层成形的步骤。更确切地，上述步骤包括使用抗蚀掩模，并且可能使用硬掩模。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在半导体主体上形成相变材料的相变层；在所述相变层上创建硬掩模结构；在所述硬掩模结构上创建抗蚀掩模；通过使用所述抗蚀掩模成形所述硬掩模结构来形成硬掩模；去除所述抗蚀掩模；以及在去 除所述抗蚀掩模之后使用所述硬掩模成形所述相变层；。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M马吉斯特雷蒂，P佩特鲁扎，
申请(专利权)人：奥沃尼克斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]