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相变存储器单元包括半导体主体上相变材料的相变层。硬掩模结构在相变层上形成，且抗蚀掩模在硬掩模结构上形成。硬掩模通过使用抗蚀掩模成形硬掩模结构而形成。相变层使用硬掩模成形。抗蚀掩模在成形相变层之前被去除。...
该专利属于奥沃尼克斯股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥沃尼克斯股份有限公司授权不得商用。

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