【技术实现步骤摘要】
背景相变存储设备将相变材料(即可以在一般的非晶体状态与一般的结晶体状态之间加以电转换的材料)用于电子存储应用。一种类型的存储元件利用相变材料；在一项应用中，该相变材料可以在一般的非晶体与一般的结晶体局部顺序的结构状态之间、或在跨越完全非晶体状态与完全结晶体状态之间的整个光谱的局部顺序的不同的可检测状态之间加以电转换。这些相变材料的该状态也是非易失性的，体现在当被设置处于表示一电阻值的结晶体、半结晶体、非晶体或半非晶体状态时，那个值被保留，直到被另一个编程事件更改为止，因为那个值表示该材料的相态或物理状态(例如，结晶体的或非晶体的)。晶体管或二极管可以被连接到该相变材料，并可以用作选择设备，以便在编程操作或读操作期间存取该相变材料。该晶体管或二极管通常被形成在硅单一晶体基层的顶面的里面或上面。晶体管可以占据该存储器芯片的相对大的部分，所以，可以增加该存储单元尺寸，从而对存储容量和成本/存储器芯片的位产生不利的影响。附图简述附图说明图1是示意图，展示了根据本专利技术的另一个实施例的存储器；以及，图2是根据本专利技术的实施例的图17中所展示的该存储器的一部分的横截面视图；...
【技术保护点】
一种装置，其特征在于包括：存储元件；被耦合到该存储元件的第一存取设备，其中，该第一存取设备包含第一硫族化物材料；以及，被耦合到该第一存取设备的第二存取设备，其中，该第二存取设备包含第二硫族化物材料。
【技术特征摘要】
US 2002-12-13 10/319,7691.一种装置，其特征在于包括存储元件；被耦合到该存储元件的第一存取设备，其中，该第一存取设备包含第一硫族化物材料；以及，被耦合到该第一存取设备的第二存取设备，其中，该第二存取设备包含第二硫族化物材料。2.权利要求1的装置，其特征在于进一步包括基层上的垂直结构，其中，该垂直结构包括串连彼此耦合的该第一存取设备、该第二存取设备和该存储元件。3.权利要求1的装置，其特征在于其中，使用薄膜材料来形成该第一存取设备、该第二存取设备和该存储元件。4.权利要求1的装置，其特征在于其中，该第二存取设备在该第一存取设备上，并且，该第一存取设备在该存储元件上。5.权利要求1的装置，其特征在于其中，该第一选择设备包括开关材料，该开关材料处于实质上的非晶体状态，并且，通过施加一预定电压或电流，该开关材料适合在较高的电阻状态与相对较低的电阻状态之间加以重复、可逆的转换。6.权利要求1的装置，其特征在于其中，该存储元件包含相变材料，通过将电流施加于该相变材料，该相变材料能够被编程为至少两个存储状态之一，以改变实质上的结晶体状态与实质上的非晶体状态之间的该相变材料的该相位；其中，处于该实质上的非晶体状态的该相变材料的电阻大于处于该实质上的结晶体状态的该相变材料的该电阻。7.权利要求1的装置，其特征在于其中，该存储元件包含基层上的存储材料；并且，其中，该第一硫族化物材料在该存储材料上，该第二硫族化物材料在该第一硫族化物材料上。8.权利要求7的装置，其特征在于进一步包括存储材料与该第一硫族化物材料之间的第一电极；以及，该第一硫族化物材料与该第二硫族化物材料之间的第二电极。9.权利要求8的装置，其特征在于其中，该第一电极和该第二电极是碳薄膜。10.权利要求7的装置，其特征在于其中，该第一硫族化物材料、该第二硫族化物材料和该存储材料每个包含碲。11.权利要求7的装置，其特征在于其中，该第一硫族化物材料是从一组中选择的材料，该组包括硅、碲、砷、锗及其组合。12.权利要求7的装置，其特征在于其中，该存储材料是碲、锑、锗合金。13.一种装置，其特征在于包括双向半导体器件第一开关；双向半导体器件第二开关，它被耦合到该双向半导体器件第一开关；以及，存储元件，它被耦合到该双向半导体器件第二开关。14.权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：WD帕金森，TA劳里，
申请(专利权)人：奥沃尼克斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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