【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及半导体存储器。
技术介绍
相变存储器设备使用相变材料作为电子存储器，相变材料即可在一般非晶体和一般晶体状态之间电切换的材料。一种类型的存储器元件利用在一种应用中可在一般非晶体和一般晶体局部有序之间或在跨完全非晶体和完全晶体状态之间的整个谱的局部有序的不同的可检测状态之间电切换的相变材料。适用于这样的应用的典型材料包括各种硫属元素化物。在没有施加过温(诸如持续超过150° C)的情况下，相变材料的状态还是非易失性的。当存储器被设为处于表示电阻值的晶体、半晶体、非晶体或半非晶体状态时，即使断开电源也保持该值直到存储器被重新编程。这是因为，所编程的值表示材料的相态或物理状态(例如，晶体或非晶体)。例如可通过对各个字线施加合适的电压以及对各个位线施加合适的电流脉冲来为读操作选中存储单元。位线所达到的电压取决于存储元件的电阻，即存储在所选存储单元中的逻辑值。通过使用读出放大器来检测反映存储器状态的电压和电流中的差异来评估存储在存储单元中的逻辑值。一般，读出放大器包括接收位线电压或相关电压和合适的参考电压的比较器，用于在一段时间之后比较来自存储器的电平。例...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2005.03.30 US 11/093,8781.一种方法，包括在由大于相变存储器元件的阈值电流的读电流驱动的地址线上，读未达到阈值的相变存储器元件。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，包括在读所述元件之后且在所述元件到达阈值之前减少所述电流。3.如权利要求I所述的方法，其特征在于，包括读出所选地址线上的电平是高于还是低于参考电平。4.如权利要求I所述的方法，其特征在于，包括将所述存储器元件串联地耦合至不相变的硫属元素化物选择设备。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，包括形成包含具有阈值电压的选择设备的存储器元件阵列，并使用其闪回电压低于所述存储器元件的最小阈值电压的选择设备。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，包括使用其闪回电压比所述存储器元件的最小阈值电压低大约O. 6伏特的选择设备。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，包括使用具有低于其保持电压加上最小存储器元件阈值电压的大约一半的阈值电压的选择设备。8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，包括确定所述定址电压的改变率。9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，包括检测所述定址线电压的峰值改变率。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，包括将所述地址线的峰值改变率与其后续改变率进行比较。11.一种存储器，包括相变存储器单元的阵列，包含耦合至所述单元的地址线；电流源，以高于所述单元的阈值电流的电流来驱动所述地址线；以及读出放大器，用于读出所述地址线，所述读出放大器用于读出所述定址线并在读出存储器单元状态之后且在触发所述存储器元件之前减少所述电流。12.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述单元包括与相变存储器元件串联的不可编程的、硫属元素化物选择设备。13.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，包括耦合至所述地址线的充电速率检测器。14.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·D·帕金森，G·卡萨格兰德，C·瑞斯塔，R·盖斯塔尔迪，F·贝德司奇，
申请(专利权)人：奥沃尼克斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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