【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及半导体存储器。
技术介绍
相变存储器设备使用相变材料作为电子存储器,相变材料即可在一般非晶体和一般晶体状态之间电切换的材料。一种类型的存储器元件利用在一种应用中可在一般非晶体和一般晶体局部有序之间或在跨完全非晶体和完全晶体状态之间的整个谱的局部有序的不同的可检测状态之间电切换的相变材料。适用于这样的应用的典型材料包括各种硫属元素化物。相变材料的状态也是非易失性的。当存储器被设为处于表示电阻值的晶体、半晶体、非晶体或半非晶体状态时,即使断开电源也保持该值直到存储器被重新编程。这是因为,所编程的值表示材料的相态或物理状态(例如,晶体或非晶体)。带有串联的双向阈值开关(OTS)选择开关和存储器元件的薄膜存储器的常规读出电路可使用固定的参考电压或电流,参考电压或电流可从通过访问单元达到的列电压或电流比较和辨别单元状态。读窗口是电压差分,例如由迫使电流流入较低电阻位产生的电压对由迫使电流通过较高电阻位产生的电压。容限基本上由对于(最接近)读出放大器断路点在一组或一块单元内的最坏情况位来确定。例如,与较低OTS保持电压串联的较低电阻复位位或与较高OTS保 ...
【技术保护点】
一种方法,包括: 通过从存储器的存储器单元线形成参考电平来读所述存储器单元线上的单元。
【技术特征摘要】
US 2005-3-30 11/093,8771.一种方法,包括通过从存储器的存储器单元线形成参考电平来读所述存储器单元线上的单元。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括提供不同的参考电平来检测较高和较低电阻的单元。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括偏移来自所述线的参考电平。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使用从所选线上的电压导出的参考电平。5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括读出所选线上的电平是高于还是低于所述参考电平。6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括存储所述来自线的参考电平,用于稍后与所述线上的电平进行比较。7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,包括在改变所选线中的电流之后比较所述电平。8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括使用较高的参考电压来读出处于其较高电阻状态中的单元,并使用较低参考电压来读出处于其较低电阻状态中的单元。9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括,使用高于阈值设备的阈值电流且低于读出设备的阈值电流的读电流。10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括将对所选线的读电流改变之前生成的参考电压与在改变读电流之后所选线上生成的电压进行比较。11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括在改变对所选地址线的读电流之后比较所述电平。12.一种存储器,包括单元阵列;以及读出放大器,用于读出所选单元,所述读出放大器被耦合来将所读出的单元的特征与使用所述单元形成的参考电平进行比较。13.如权利要求12所述的存储器,其特征在于,所述存储器是相变存储器。14.如权利要求12所述的存储器,其特征在于,所述单元的阵列包括地址线,所述地址线包括耦合至将被读出的单元的地址线的参考信号发生器。15.如权利要求14所述的存储器,其特征在于,所述参考信号发生器为所述读出放大器生成参考电压,所述参考信号发生器用于改变来自所述线的所述信号的电平。16.如权利要求15...
【专利技术属性】
技术研发人员:T劳里,WD帕金森,F贝德司奇,C瑞斯塔,R盖斯塔尔迪,G卡萨格兰德,
申请(专利权)人:奥沃尼克斯股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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