阻变存储器及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存储介质层内纳米电极附件的局部电场强度，从而使导电细丝能够沿着该纳米电极形成，这样有效控制了导电细丝形成数量以及导电细丝形成和断开的路径，从而解决了导电细丝随机形成的问题，使器件的编程电压具有集中性，提高了器件工作的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器件及制造技术，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
随着可携式个人设备的流行，非挥发性存储器由于具有在无电源供应时仍能維持记忆状态和操作低功耗等优点，逐渐成为半导体エ业中的研发重点。目 前市场上的非挥发性存储器仍以闪存(Flash)为主流，但是由于闪存存在操作电压过大、操作速度慢、耐久力不够好以及由于器件尺寸缩小过程中隧穿氧化层不断减薄导致保持时间不够长等缺点，现在的研发重点逐渐转向了可以取代闪存的新型非挥发性存储器。阻变存储器(RRAM)由于具有写入操作电压低、写入擦除时间短、记忆时间长、非破坏性读取、多值存储、结构简单以及存储密度高等优点，因此逐渐成为目前新型非挥发性存储器件中的研究重点。阻变存储器的存储原理是建立在阻变材料的可逆阻变特性上，也就是说，阻变材料在电信号下可以在高阻态和低阻态间实现可逆的转变。目前，针对阻变存储器的转变机理还存在一定的争议，但是已经有ー些机理经过的广泛的论证，固态电解液阻变存储器就是其中ー种。固态电解液阻变存储器的基本结构如图I所示，主要包括下电极11、存储介质层12和上电极13，下电极11采用电场作用下为惰性的金属，上电极1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种阻变存储器，其特征在于，包括 选通晶体管； 下电极，所述下电极同选通晶体管电连接； 下电极之上凸起的纳米电极； 下电极和纳米电极之上的存储介质层； 存储介质层之上的上电极。2.根据权利要求I所述的存储器，其特征在于，所述纳米电极的高度范围为2-20纳米。3.根据权利要求I所述的存储器，其特征在于，所述纳米电极包括易氧化金属。4.根据权利要求I所述的存储器，其特征在于，所述纳米电极位于下电极同选通晶体管电连接点的上方。5.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器，其特征在于，所述纳米电极的形状为圆锥形、半球形、圆台形或圆柱形。6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述纳米电极的底部直径的范围为5-20纳米。7.一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括 提供选通晶体管； 形成同选通晶体管电连接的下电极； 在所述下电极上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙世兵，刘明，刘琦，吕杭炳，牛洁斌，王艳花，李颖弢，张森，王艳，连文泰，张康玮，王明，张满红，霍宗亮，谢常青，刘璟，余兆安，李冬梅，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
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