使用铁磁隧道结器件的磁存储装置制造方法及图纸

通过提高使用铁磁隧道结器件的磁存储装置的电迁移的电阻来防止磁存储装置出现故障。使用铁磁隧道结器件的磁存储装置通过在隧道势垒层的上面和背面分别层叠固定磁化层和自由磁化层来形成由铁磁隧道结器件，并且使字线在铁磁隧道结器件的固定磁化层的磁化方向上延伸以及使位线在与铁磁隧道结器件的固定磁化层的磁化方向垂直方向上延伸，以便允许通过反转流过位线的电流的方向来把两种不同的存储状态写入铁磁隧道结器件中，其中，在写入铁磁隧道结器件时，把流过字线的电流的方向反转到与固定磁化层的磁化方向相同的方向或相反的方向。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用铁磁隧道结器件的磁存储装置。
技术介绍
近年来，人们期望有一种能够以高速、不限次数写入的非易失性计算机存储装置。而且，使用铁磁隧道结器件的磁存储装置作为具有上述功能的存储装置，引起了我们的注意。这样的铁磁隧道结器件是通过将一对铁磁薄膜层压在绝缘薄膜的上面和背面上构成的。由于铁磁薄膜的一面总是在固定方向上磁化，因此称这一面为固定磁化层。另一方面，由于随铁磁隧道结器件的存储状态而定，铁磁薄膜的另一面在与固定磁化层的磁化方向相同的方向(平行方向)磁化，或者翻转过来在相反方向(反平行方向)磁化，因此称这另一面为自由磁化层。而且，由于当电压加在固定磁化层和自由磁化层之间时，所述绝缘层将引起隧道电流，因此把所述绝缘层称作隧道势垒层。而且，铁磁隧道结器件具有能够稳定保持具有不同磁化方向的两种状态(即，自由磁化层在与固定磁化层磁化相同的方向上磁化的状态或通过固定磁化层的磁力作用，自由磁化层在与固定磁化层相反的方向上磁化的状态)的结构，从而保存两种不同磁化方向的状态。通过将两种不同状态的磁化方向定义为两种不同存储状态，即“0”和“1”，就能保存两种不同的存储状态。因此，通过使自由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用铁磁隧道结器件的磁存储装置，它包括：　　　　铁磁隧道结器件，它是由固定磁化层、自由磁化层和布置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间的隧道势垒层构成的；　　　　字线，它沿着所述铁磁隧道结器件的所述固定磁化层的磁化方向布线；　　　　位线，它沿着与所述铁磁隧道结器件的所述固定磁化层的所述磁化方向垂直的方向布线；　　　　写入装置，用于通过反转流过所述位线的电流的方向来将两种不同的存储状态写入所述铁磁隧道结器件中；以及　　　　反转装置，用于在写入所述铁磁隧道结器件时，把流过所述字线的电流的方向反转到与所述固定磁化层的所述磁化方向相同的方向或相反的方向。

【技术特征摘要】
JP 2002-2-8 31986/20021.一种使用铁磁隧道结器件的磁存储装置，它包括铁磁隧道结器件，它是由固定磁化层、自由磁化层和布置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间的隧道势垒层构成的；字线，它沿着所述铁磁隧道结器件的所述固定磁化层的磁化方向布线；位线，它沿着与所述铁磁隧道结器件的所述固定磁化层的所述磁化方向垂直的方向布线；写入装置，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：森山胜利，森宽伸，冈崎信道，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]