具有非易失存储器模块的电路装置和用于记录非易失存储器模块上的光冲击的方法制造方法及图纸

一种用于电子数据处理的电路装置（１００），包括　　　　－用于存储数据的至少一个非易失存储器模块（１０），和　　　　－与存储器模块（１０）相关联的至少一个接口逻辑（２０），其　　　　－－用于寻址存储器模块（１０），并且　　　　－－用于向存储器模块（１０）写入数据，或者　　　　－－用于从存储器模块（１０）读取数据，　　　　其特征在于，提供用于监视存储器模块（１０）的至少一个监视装置（２２）与接口逻辑（２０）相关联，借助于该监视装置（２２），至少一个光源对存储器模块（１０）的辐射［所谓的“光冲击”］可以在测试模式（Ｔ）中被检测和／或记录和／或传送信令，其中不发生针对存储器模块（１０）的写或读访问。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于电子数据处理的电路装置，包括-用于存储数据的至少一个非易失存储器模块，-与存储器模块相关联的至少一个接口逻辑，其--用于为存储器模块寻址，并且--用于向存储器模块写入数据，或者--用于从存储器模块读取数据。本专利技术进一步涉及用于检测和/或记录和/或传送信令至少一个光源对至少一个非易失存储器模块的辐射(所谓的非易失存储器模块上的“光冲击”)的方法。
技术介绍
电子模块，诸如EPROM(可擦除可编程只读存储器)，EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)或者快闪存储器，允许具有“1”和“0”形式的数字数据的写和/或读，其常常被称为写入或者擦除状态(比特)。外部影响可能引起这些数据的不正确的读取，诸如例如，通过强光源进行的辐射(所谓的“光冲击”或者“闪光冲击”)。例如，通过使用纠错码，其中在物理介质上冗余地存储信息，并且在读入数据时算法查找这些具体数据的错误，可以抑制来自非易失存储器模块(所谓的NV(非易失)存储器模块)的此不正确的数据读取。典型地使用了可以识别和/或纠正具有例如，八个逻辑比特(其对应于超过八个的物理比特)的存储块中的一个或者多个错误比特(已知的示例是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于电子数据处理的电路装置(100)，包括-用于存储数据的至少一个非易失存储器模块(10)，和-与存储器模块(10)相关联的至少一个接口逻辑(20)，其--用于寻址存储器模块(10)，并且--用于向存储器模块(10)写入数据，或者--用于从存储器模块(10)读取数据，其特征在于，提供用于监视存储器模块(10)的至少一个监视装置(22)与接口逻辑(20)相关联，借助于该监视装置(22)，至少一个光源对存储器模块(10)的辐射[所谓的“光冲击”]可以在测试模式(T)中被检测和/或记录和/或传送信令，其中不发生针对存储器模块(10)的写或读访问。2.权利要求1的电路装置，其特征在于，-至少一个定时器/时钟单元(30)，用于为监视装置(22)提供规则的时间间隔或者时钟信号，和-至少一个随机数发生器(40)，用于为监视装置(22)生成随机数，与监视装置(22)相关联。3.权利要求2的电路装置，其特征在于，监视装置(22)具有-至少一个寻址多路复用单元(24)，其用于在对存储器模块(10)访问时来自至少一个中央处理单元的至少一个存储器模块寻址以及在存储器模块(10)正被监视时借助于随机数发生器(40)生成的至少一个存储器模块随机寻址之间进行切换，和-至少一个访问多路复用单元(26)，其用于使来自存储器模块(10)读取的信号数据在至少一个连接到中央处理单元以及至少一个模式检测单元(28)之间切换，其中模式检测单元(28)被提供用于将存储器模块(10)的随机地址值同未编程的存储器单元的地址值进行比较，如果所比较的地址值之间缺乏一致性，则由该模式检测单元(28)可以触发至少一个异常状态(E)[所谓的“硬件异常”]。4.权利要求3的电路装置，其特征在于，-在其中发生了针对存储器模块(10)的读访问的时间间隔中[所谓的正常模式(N)，且存储器模块(10)的至少一个源晶体管导通]，--在寻址多路复用单元(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·C·H·加贝，W·布尔，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：