【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置，且更确切地说涉及相变存储器装置及其形成方法。
技术介绍
非易失性存储器由于能够在无电源时保存数据而合乎集成电路的需要。人们已研究 相变材料以用于非易失性存储器单元。相变存储器单元包含比如硫属化物合金等相变材 料，其能够至少部分地在无定形相与结晶相之间平稳过渡。每个相均显现出特定的电阻 状态，且所述电阻状态区分存储器单元的至少两个逻辑值。具体来说，无定形状态显现 出相对高的电阻，且结晶状态显现出相对低的电阻。如图1所示，典型的相变存储器单元IO在设置于绝缘层5内的第一电极1与第二 电极2之间具有相变材料层3。举例来说，相变材料是硫属化物合金，比如Ge2Sb2Te5 或SbTeAg。根据经由电极1、 2施加的电流量及所述施加的持续时间，将相变材料3的一部 分一一可编程巻4一一设置成特定的电阻状态。为了获得无定形状态，在短时期内施加 相对高的写入电流脉冲(重设脉冲)通过相变单元10，以便使材料的一部分熔化。移 除所述电流，且单元IO迅速冷却到玻璃转化温度下的温度，这导致材料3的覆盖底部 电极的部分4具有显现出高电阻的无定形相。为了获得结晶状...
【技术保护点】
一种存储器元件，其包括： 相变材料区，其包括彼此串联的第一和第二部分，所述第一部分的结晶相具有比所述第二部分的所述结晶相的电阻率高的电阻率。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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