【技术实现步骤摘要】
方法
本专利技术涉及形成非易失性可调电阻器件的方法和形成存储电路的可编程存储单元的方法。
技术介绍
半导体制造向着将单个电子元件制作越来越小的方向努力，导致更为密集的集成电路。一种集成电路包括以二进制数据形式存储信息的存储电路。制造这种电路使得数据是易失性或非易失性的。易失性存储器件导致断开电源时数据丢失。当电源断开时非易失性存储电路断开仍能保留存入的数据。本专利技术主要致力于对在Kozicki等的美国专利号为5,761,115；5,896,312；5,914,893和6,084,796公开的存储电路的设计和操作的改进，这些专利源于1996年5月30日提交的序列号为08/652,706的美国专利申请，公开了有关可编程的金属化单元。这种单元包括其间容纳有绝缘电介质材料的反向电极。电介质材料中的容纳物是快离子导体材料。这种材料的电阻可以在高绝缘和高导电状态之间变化。在其常规高电阻状态下，为了执行写操作，电压电位施加于其中某一电极，同时另一电极保持在零电压或接地。施加了电压的电极起到阳极的作用，同时保持零电压或接地的电极起到阴极的作用。快速离子导电材料的特性是在一定的...
【技术保护点】
一种形成非易失性可调电阻器件的方法，包含：在衬底上形成第一导电电极材料；在该第一导电电极材料上形成含硫族化物材料，该硫族化物材料包括Ａ↓［ｘ］Ｓｅ↓［ｙ］其中“Ａ”包括选自周期表的１３族、１４族、１５族或１７族的至少一种元素；在硫族化物材料上形成含银层；照射银以有效断开在含银层和硫族化物材料的界面处的硫族化物材料的硫族化物键，并且将至少一些银扩散进入该硫族化物材料，并且形成硫族化物材料的外部表面；在该照射之后，将硫族化物材料的外部表面暴露于含碘的流体以有效降低暴露之前的硫族化物材料外部表面的粗糙度；以及在该暴露之后，在硫族化物材料上淀积第二导电电极材料，其连续并且至少完全覆...
【技术特征摘要】
US 2001-8-29 09/943,1871.一种形成非易失性可调电阻器件的方法，包含在衬底上形成第一导电电极材料；在该第一导电电极材料上形成含硫族化物材料，该硫族化物材料包括AxSey，其中“A”包括选自周期表的13族、14族、15族或17族的至少一种元素；在硫族化物材料上形成含银层；照射银以有效断开在含银层和硫族化物材料的界面处的硫族化物材料的硫族化物键，并且将至少一些银扩散进入该硫族化物材料，并且形成硫族化物材料的外部表面；在该照射之后，将硫族化物材料的外部表面暴露于含碘的流体以有效降低暴露之前的硫族化物材料外部表面的粗糙度；以及在该暴露之后，在硫族化物材料上淀积第二导电电极材料，其连续并且至少完全覆盖在硫族化物材料上，将第二导电电极材料形成为该器件的电极。2.如权利要求1所述的方法，其中含碘的流体是液体。3.如权利要求1所述的方法，其中含碘的流体是碘化物溶液。4.如权利要求1所述的方法，其中含碘的流体是碘化钾溶液。5.如权利要求4所述的方法，其中该碘化钾溶液在每1升20％至50％碘化钾溶液中含有5至30克I2。6.如权利要求1所述的方法，其中含银层主要是元素银。7.如权利要求1所述的方法，其中该照射是有效的以形成Ag2Se作为至少部分外表面，该腐蚀是有效的以腐蚀掉至少一些Ag2Se并且由此对所述粗糙度的降低起至少部分作用。8.如权利要求1所述的方法，其中“A”包含Ge。9.如权利要求1所述的方法，其包括将非易失性可调电阻器件形成为存储电路的可编程存储单元。10.如权利要求1所述的方法，其中第一和第二导电电极材料是不同的。11.一种形成非易失性可调电阻器件的方法，包含在衬底上形成第一导电电极材料；在第一导电电极材料上形成含硫族化物材料，该硫族化物材料包括AxSey，其中“A”包括选自周期表的13族、14族、15族或17族的至少一种元素；在形成含硫族化物材料之后，在含硫族化物材料上形成Ag2Se；在照射之后，将Ag2Se暴露于含碘流体，以有效腐蚀掉至少一些Ag2Se；以及在该暴露之后，在硫族化物材料上淀积第二导电电极材料，将该第二导电电极材料形成为该器件的电极。12.如权利要求11所述的方法，其中“A”包含Ge。13.如权利要求11所述的方法，包括将非易失性可调电阻器件形成为存储电路的可编程存储单元。14.如权利要求11所述的方法，其中含碘的流体是液体。15.如权利要求11所述的方法，其中含碘的流体是碘化物溶液。16.如权利要求11所述的方法，其中含碘的流体是碘化钾溶液。17.如权利要求16所述的方法，其中该碘化钾溶液在每1升20％至50％碘化钾溶液中含有5至3...
【专利技术属性】
技术研发人员：KA坎贝尔，JT穆尔，
申请(专利权)人：微米技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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