用于可编程器件的粘接材料制造技术

一方面，本发明专利技术提供了一种设置并重新编程可编程器件的状态的装置。一方面，本发明专利技术提供了一种方法，使得在电介质（２１０）和电极（２３０Ａ）上形成例如Ｔｉ或多晶硅的粘接剂（２１５），所述粘接剂被图案化以暴露出电极，并在粘接剂上和电极上形成可编程材料（４０４）。另一方面，本发明专利技术提供了一种方法，即在电介质（２１０）上形成粘接剂（２１４），形成通过电介质的开口（２２０）以暴露出形成在衬底上的触头（１７０），并且在粘接剂上和触头的一部分上形成优选地是硫族化物的可编程材料（４０４）。在可编程材料上形成导体（４１０），所述触头传导到信号线。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
可编程器件，包括可通过改变相变材料的状态而被编程的相变存储器器件。
技术介绍
典型的计算机或与计算机相关的设备包括物理存储器，通常称之为主存储器或随机访问存储器(RAM)。一般地，RAM是计算机程序可用的存储器，只读存储器(ROM)是例如用于存储启动计算机和进行诊断的程序的存储器。典型的存储器应用包括动态随机访问存储器(DRAM)、静态随机访问存储器(SRAM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。固态存储器器件通常对存储器应用中的每个存储器位采用微电子电路元件(例如每个位1-4个晶体管)。由于每个存储器位需要一个或多个电子电路元件，因此这些器件可能消耗大量的芯片“占地面积”(″realestate″)来存储一位的信息，这就限制了存储器芯片的密度。这些器件的主要“非易失”存储器元件，例如EEPROM，通常采用具有受限的可重编程性的浮栅场效应晶体管器件，该器件在场效应晶体管的栅极上保持电荷来存储每个存储器位。而且这些类的存储器器件编程相对较慢。相变存储器器件使用相变材料，即可以在一般的无定形状态和一般的晶体状态之间进行电切换的材料，来用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在触头上形成电介质，所述触头形成在衬底上；形成通过所述电介质的开口，以暴露出所述触头；在所述开口内形成电极，所述电极位于所述触头上；在所述电介质和所述电极上形成粘接剂；图案化所述粘接剂 ，以暴露出所述电极的一部分；在所述粘接剂上和所述电极上形成可编程材料；以及形成导体到所述可编程材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括在触头上形成电介质，所述触头形成在衬底上；形成通过所述电介质的开口，以暴露出所述触头；在所述开口内形成电极，所述电极位于所述触头上；在所述电介质和所述电极上形成粘接剂；图案化所述粘接剂，以暴露出所述电极的一部分；在所述粘接剂上和所述电极上形成可编程材料；以及形成导体到所述可编程材料。2.如权利要求1所述的方法，还包括同时图案化所述粘接剂、所述可编程材料和所述导体。3.如权利要求1所述的方法，其中形成粘接剂包括形成钛和多晶硅中的至少一种，形成可编程材料包括形成硫族化物存储器元件。4.一种装置，包括在衬底上的触头；所述触头上的电介质，所述电介质具有延伸至所述触头的开口；在所述开口内的电极，所述电极位于所述触头上；在所述电介质上的粘接剂；在所述粘接剂上和所述电极上的可编程材料；以及到所述可编程材料的导体。5.如权利要求4所述的装置，其中所述粘接剂、所述可编程材料和所述导体被同时图案化。6.如权利要求4所述的装置，其中所述粘接剂包括钛和多晶硅中的至少一种，所述可编程材料包括硫族化物存储器元件。7.一种系统，包括微处理器；输入/输出端口；和存储器，所述存储器包括衬底上的触头；所述触头上的电介质，所述电介质具有延伸至所述触头的开口；在所述开口内并在所述触头上的电极；在所述电介质上的粘接剂；在所述粘接剂上和所述电极上的可编程材料；和到所述可编程材料的导体；并且其中所述微处理器、所述输入/输出端口和所述存储器通过数据总线、地址总线和控制总线相连接。8.如权利要求7所述的系统，其中所述粘接剂、所述可编程材料和所述导体被同时图案化。9.如权利要求7所述的系统，其中所述粘接剂包括钛和多晶硅中的至少一种，所述可编程材料包括硫族化物存储器元件。10.一种方法，包括在触头上形成电介质，所述触头形成在衬底上；在所述电介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：泰勒A劳里，肖恩J李，何惠民，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]