静态随机存取存储器单元制造技术

一种静态随机存取存储器单元，包括一基底、一层栅介电层、一个栅极、一个沟槽式电容器、一个源极／漏极区、一个第一接触窗及一个第二接触窗。其中，基底已形成有一个沟槽，而栅介电层配置于基底上。栅极配置于栅介电层上，而沟槽式电容器配置于栅极一侧的沟槽中。源极／漏极区配置于栅极两侧的基底中，栅极一侧的源极／漏极区是位于栅极与沟槽式电容器之间。第一接触窗电连接于沟槽式电容器，而第二接触窗电连接于栅极另一侧的源极／漏极区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静态随机存取存储器单元，特别是涉及一种单晶体管静态随机存取存储器单元。
技术介绍
当半导体进入深次微米(Deep Sub-Micron)的工艺时，元件的尺寸逐渐缩小，对于存储器元件而言，也就是代表存储单元尺寸愈来愈小。另一方面，随着信息电子产品(如计算机、移动电话、数码相机或个人数字助理(PersonalDigital Assistant，PDA))需要处理、储存的数据日益增加，在这些信息电子产品中所需的存储器容量也就愈来愈大。对于这种尺寸变小而存储器容量却需要增加的情形，如何制造尺寸缩小、高积集度，又能兼顾其质量的存储器元件是产业的一致目标。随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)为一种挥发性的(volatile)存储器，而广泛的应用于信息电子产品中。一般而言，随机存取存储器包括静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)与动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)。SRAM为以存储单元(memory cell)内晶体管的导电状态来储存数字信号，依本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态随机存取存储器单元，包括：基底，已形成有沟槽；栅介电层，配置于该基底上；栅极，配置于该栅介电层上；沟槽式电容器，配置于该栅极一侧的该沟槽中；源极／漏极区，配置于该栅极两侧的该基底中，该栅极一侧 的该源极／漏极区是位于该栅极与该沟槽式电容器之间；第一接触窗，电连接于该沟槽式电容器；以及第二接触窗，电连接于该栅极另一侧的该源极／漏极区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊麒，梁佳文，林永昌，李瑞池，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]