半导体存储器制造技术

６晶体管型ＳＲＡＭ存储单元一直多采用横型存储单元布局，但因是横长形，例如当使位线为第２或第３层布线时，前者在横向延伸的字线与ＶＳＳ电源在同一层中靠近地并排延伸，从而字线寄生电容增大和布线微粒引起的成品率降低；后者的位线被ＶＳＳ电源与ＶＤＤ电源夹着并排延伸，从而位线寄生电容增大。本发明专利技术分别用第２、第３、第４层布线配置正／负位线、字线、ＶＳＳ电源布线，并将ＶＤＤ电源布线配置在正／负位线之间。另外，分别用第２、第３、第４层布线配置字线、正／负位线、ＶＳＳ电源布线，并将ＶＤＤ电源布线配置在正／负位线之间。另外，分别用第２、第３、第４、第５层布线配置ＶＤＤ电源布线、正／负位线、字线、ＶＳＳ电源布线。另外，分别用第２、第３、第４、第５层布线配置正／负位线、ＶＤＤ电源布线、字线、ＶＳＳ电源布线。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路的布局设计技术，涉及CMOS型SRAM(静态随机存取存储器)的半导体存储器。
技术介绍
近年来半导体的微细化取得飞速进步，开始实现了100nm左右的加工尺寸，但是在微细化的进展中，光刻技术成了瓶颈。从这一背景出发，作为SRAM存储单元的布局，取代现在主要采用的纵型存储单元布局，开始采用易于进行光刻加工的横型存储单元布局。图20示出了现有的CMOS型SRAM的纵型存储单元的下层部的布局例子。在图20中，100是P阱，101是N阱，102是阱的边界线，103是源漏扩散层(在P阱100上为N型扩散层，在N阱101上为P型扩散层)，104是栅电极，105是连接扩散层103或栅电极104与第1层金属布线(未图示)的接触孔，107是N沟道型存取晶体管，108是N沟道型驱动晶体管，109是P沟道型负载晶体管，110是存储单元1个位部分的单元边界框。图21示出了现有的CMOS型SRAM的横型存储单元的下层部的布局例子。在图21中，对与图20中对应的部分标以相同的符号，106是以第1层金属布线(未图示)借助于1个接触孔将扩散层103与栅电极104进行连接的共用接触。图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器，它是具备在半导体衬底上配置成矩阵状，每一个都是由一对存取晶体管、一对驱动晶体管和一对负载晶体管构成，各个区都是在上述半导体衬底上以第２导电类型的阱区被夹在２个第１导电类型的阱区之间的方式，３个上述阱区在行方向并排形成的、呈在行方向上长形的单元区，在上述单元区内的２个上述第１导电类型的阱区的每一个区内各形成１个上述存取晶体管和１个上述驱动晶体管，在上述第２导电类型的阱区内形成上述一对负载晶体管的多个ＣＭＯＳ型ＳＲＡＭ单元，并且在构成上述ＣＭＯＳ型ＳＲＡＭ单元的晶体管的上部设置多个布线层的半导体存储器，其特征在于：设置了：在多个布线层中的１个上述布线层中形成的，分别在列方向上延伸...

【技术特征摘要】
JP 2003-4-4 101196/20031.一种半导体存储器，它是具备在半导体衬底上配置成矩阵状，每一个都是由一对存取晶体管、一对驱动晶体管和一对负载晶体管构成，各个区都是在上述半导体衬底上以第2导电类型的阱区被夹在2个第1导电类型的阱区之间的方式，3个上述阱区在行方向并排形成的、呈在行方向上长形的单元区，在上述单元区内的2个上述第1导电类型的阱区的每一个区内各形成1个上述存取晶体管和1个上述驱动晶体管，在上述第2导电类型的阱区内形成上述一对负载晶体管的多个CMOS型SRAM单元，并且在构成上述CMOS型SRAM单元的晶体管的上部设置多个布线层的半导体存储器，其特征在于设置了在多个布线层中的1个上述布线层中形成的，分别在列方向上延伸、与同一列的上述CMOS型SRAM单元连接，在行方向上并排配置的多条成对的位线；在与上述位线同层的上述布线层中形成的，分别配置在上述成对的位线之间、与同一列的上述CMOS型SRAM单元连接的多条高电位侧电源布线；在比上述位线靠上1层的上述布线层中形成的，分别在行方向上延伸、与同一行的上述CMOS型SRAM单元连接的，在列方向上并排配置的多条字线；以及在比上述字线靠上1层的上述布线层中形成的，与上述CMOS型SRAM单元连接的低电位侧电源布线。2.一种半导体存储器，它是具备在半导体衬底上配置成矩阵状，每一个都是由一对存取晶体管、一对驱动晶体管和一对负载晶体管构成，各个区都是在上述半导体衬底上以第2导电类型的阱区被夹在2个第1导电类型的阱区之间的方式，3个上述阱区在行方向并排形成的、呈在行方向上长形的单元区，在上述单元区内的2个上述第1导电类型的阱区的每一个区内各形成1个上述存取晶体管和1个上述驱动晶体管，在上述第2导电类型的阱区内形成上述一对负载晶体管的多个CMOS型SRAM单元，并且在构成上述CMOS型SRAM单元的晶体管的上部设置多个布线层的半导体存储器，其特征在于设置了在多个布线层中的1个上述布线层中形成的，分别在行方向上延伸、与同一行的上述CMOS型SRAM单元连接，在列方向上并排配置的多条字线；在比上述字线靠上1层的上述布线层中形成的，分别在列方向上延伸、与同一列的上述CMOS型SRAM单元连接的，在行方向上并排配置的多条成对的位线；在与上述位线同层的上述布线层中形成的，分别配置在上述成对的位线之间、与同一列的上述CMOS型SRAM单元连接的多条高电位侧电源布线；以及在比上述位线靠上1层的上述布线层中形成的，与上述CMOS型SRAM单元连接的低电位侧电源布线。3.一种半导体存储器，它是具备在半导体衬底上配置成矩阵状，每一个都是由一对存取晶体管、一对驱动晶体管和一对负载晶体管构成，各个区都是在上述半导体衬底上以第2导电类型的阱区被夹在2个第1导电类型的阱区之间的方式，3个上述阱区在行方向并排形成的、呈在行方向上长形的单元区，在上述单元区内的2个上述第1导电类型的阱区的每一个区内各形成1个上述存取晶体管和1个上述驱动晶体管，在上述第2导电类型的阱区内形成上述一对负载晶体管的多个CMOS型SRAM单元，并且在构成上述CMOS型SRAM单元的晶体管的上部设置多个布线层的半导体存储器，其特征在于设置了在多个布线层中的1个上述布线层中形成的，分别在列方向上延伸、与同一列的上述CMOS型SRAM单元连接，在行方向上并排配置的多条高电位侧电源布线；在比上述高电位侧电源布线靠上1层的上述布线层中形成的，分别在列方向上延伸、与同一列的上述CMOS型SRAM单元连接的，在行方向上并排配置的多条成对的位线；在比上述位线靠上1层的上述布线层中形成的，分别在行方向上延伸、与同一行的上述CMOS型SRAM单元连接的，在列方向上并排配置的多条字线；以及在比上述字线靠上1层的上述布线层中形成的，与上述CMOS型SRAM单元连接的低电位侧电源布线。4.一种半导体存储器，它是具备在半导体衬底上配置成矩阵状，每一个都是由一对存取晶体管、一对驱动晶体管和一对负载晶体管构成，各个区都是在上述半导体衬底上以第2导电类型的阱区被夹在2个第1导电类型的阱区之间的方式，3个上述阱区在行方向并排形成的、呈在行方向上长形的单元区，在上述单元区内的2个上述第1导电类型的阱区的每一个区内各形成1个上述存取晶体管和1个上述驱动晶体管，在上述第2导电类型的阱区内形成上述一对负载晶体管的多个CMOS型SRAM单元，并且在构成上述CMOS型SRAM单元的晶体管的上部设置多个布线层的半导体存储器，其特征在于设置了在多个布线层中的1个上述布线层中形成的，分别在列方向上延伸、与同一列的上述CMOS型SRAM单元连接，在行方向上并排配置的多条成对的位线；在比上述位线靠上1层的上述布线层中形成的，分别在列方向上延伸、与同一列的上述CMOS型SRAM单元连接的，在行方向上并排配置的多条高电位侧电源布线；在比上述高电位侧电源布线靠上1层的上述布线层中形成的，分别在行方向上延伸、与同一行的上述CMOS型SRAM单元连接的，在列方向上并排配置的多条字线；以及在比上述字线靠上1层的上述布线层中形成的，与上述CMOS型SRAM单元连接的低电位侧电源布线。5.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于CMOS型SRAM单元的各个区的行方向的宽度为列方向的宽度的2倍以上。6.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于CMOS型SRAM单元的各个区的行方向的宽度为列方向的宽度的2倍以上。7.如权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于CMOS型SRAM单元的各个区的行方向的宽度为列方向的宽度的2倍以上。8.如权利要求4所述的半导体存储器，其特征在于CMOS型SRAM单元的各个区的行方向的宽度为列方向的宽度的2倍以上。9.如权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于字线经在比上述字线靠下1层的布线层中形成的岛状图形与CMOS型SRAM单元的存取晶体管连接，上述字线与上述岛状图形的连接借助于对每1个上述岛状图形配置多个通路部进行。10.如权利要求4所述的半导体存储器，其特征在于字线经在比上述字线靠下1层的布线层中形成的岛状图形与CMOS型SRAM单元的存取晶体管连接，上述字线与上述岛状图形的连接借助于对每1个上述岛状图形配置多个通路部进行。11.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于低电位侧电源布线经在比上述低电位侧电源布线靠下1层的布线层中形成的低电位侧电源用岛状图形与CMOS型SRAM单元连接，上述低电位侧电源布线与上述低电位侧电源用岛状图形的连接借助于对每1个上述低电位侧电源用岛状图形配置多个通路部进行。12.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于低电位侧电源布线经在比上述低电位侧电源布线靠下1层的布线层中形成的低电位侧电源用岛状图形与CMOS型SRAM单元连接，上述低电位侧电源布线与上述低电位侧电源用岛状图形的连接借助于对每...

【专利技术属性】
技术研发人员：石仓聪，里见胜治，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]