增强型电子键合引线封装制造技术

根据示例实施例，有具有电绝缘连接的封装中的集成电路（ＩＣ）器件。ＩＣ器件包括安装在管芯附加区域（１０）上的半导体器件（１００）；半导体器件具有多个键合焊盘（２０ａ、２５ａ、３０ａ、３５ａ）。具有多个键合指状物（２０ｂ、２５ｂ、３０ｂ、３５ｂ）的引线框围绕着管芯附加区域。把具有各自的第一末端的多个相互隔离的连接导体（２５ｄ、３０ｄ、４０、５０）附加到半导体器件上各自的键合焊盘上，并把具有各自的第二末端的多个相互隔离的连接导体附加到各自的引线框键合指状物上。至少多个相互隔离的连接导体的一部分涂敷有绝缘材料（４５）。相互隔离的连接导体可以包括用于信号连接的键合导线（４０、５０）以及用于电压基准连接的导电带（２５ｄ、３０ｄ）。涂敷键合导线的绝缘材料（４５）减少封装期间短路的可能性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路(ic)封装。更特别地，本专利技术涉及引线键合 IC器件管芯，其中用绝缘材料覆盖半导体管芯和封装衬底之间选定的连接导线。
技术介绍
电子工业持续依赖半导体技术上的进步来实现更紧密区域中的更 高性能器件。对很多应用来说，实现更高性能器件要求把大量电子器件 集成到单个硅晶片。因为硅晶片的每给定面积上的电子器件数目增加， 制造过程变得更加困难。已经对具有数量众多规则的不同应用制造了多种半导体器件。这样的硅基半导体器件常常包括金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)， 例如P沟道M0S (PM0S)、 n沟道M0S (翻S)以及互补M0S (CMOS)晶体 管、双极性晶体管、BiCM0S晶体管。这样的MOSFET器件包括在导电栅 极和类硅衬底之间的绝缘材料；因此，这些器件通常称为IGFET (栅极 绝缘FET)。这些半导体器件通常每个都包括半导体衬底，其上形成多个有源器 件。给定有源器件的特定结构能在器件种类间变化。例如，在M0S晶体 管中，有源器件通常包括源极和漏极区域以及调制在源极/漏极区域之间 电流的栅极电极。另夕卜，这样的器件可以是用例如COMS、 Bi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在具有电绝缘连接的封装中的集成电路（ＩＣ）器件，包括：　安装在附加区域上的半导体器件，所述半导体器件具有多个键合焊盘；　围绕着所述管芯附加区域的引线框，所述引线框具有多个键合指状物；　多个相互隔离的连接导体，具有各自的 第一末端以及各自的第二末端，将所述第一末端附加到所述半导体器件上的各自的键合焊盘上，并且将所述第二末端附加到所述引线框的各自的键合指状物上；以及　绝缘材料，涂敷在所述多个相互隔离的连接导体的至少一部分上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯怀兰德，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]