非易失性存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术实施例涉及一种非易失性存储器件及其制造方法。根据本发明专利技术实施例，非易失性存储器件可以包括隧道ＯＮＯ膜，该隧道ＯＮＯ膜具有层叠在半导体衬底上和／或上方的氧化膜、氮化膜和氧化膜。该非易失性存储器件还可以包括形成在隧道ＯＮＯ膜上和／或上方的陷阱氮化膜，和形成在陷阱氮化膜上和／或上方并具有高介电膜的阻挡氧化膜，其中该高介电膜具有比ＳｉＯ↓［２］膜的介电常数高的介电常数。根据本发明专利技术实施例，可以在阻挡氧化膜上和／或上方形成栅极。可以使在擦除操作时的电子反Ｆ／Ｎ隧穿最小化。这可以提高擦除速度以及擦除Ｖ↓［ｔ］饱和现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及 一 种非易失性存储器件(nonvolatile memory device)及其制造方法，更具体地，涉及一种具有硅-氧化物-氮化物 -氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONONOS)结构或者能隙工程 (Bandgap Engineered) SONOS ( BE-SONOS )结构的量子阱非易 失性存储器件及其制造方法。
技术介绍
非易失性存储器件可以是基于浮置栅的非易失性存储器件。当 将基于浮置4册的非易失性存储器件调节到可以不超过60nm的尺寸 时，由于单元之间(cell-to-cell)的干涉j文应(interference effect), 单元之间Vt分布可能相对变大。由于在读出数据时可能产生的错 误读出，这可能导致错误。因此需要可以取代基于浮置栅的非易失 性存储器件的非易失性存储器件。已经被证实的一种器件可以是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅 (SONOS)器件。通过将电子或空穴捕捉和释放到存在于氮化物膜 内的陷阱位置中，SONOS器件可以作为非易失性存储器件操作。 这样的SONOS器件可以没有单元之间的干涉效应。因此，尽管可5以将SONOS器件调节到不超过6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：　隧道氧化物－氮化物－氧化物（ＯＮＯ）膜，包括层叠在半导体衬底上方的氧化膜，氮化膜和氧化膜；　陷阱氮化膜，形成在所述隧道ＯＮＯ膜上方；　阻挡氧化膜，所述阻挡氧化膜形成在所述陷阱氮化膜上方并由高介电膜形成，其 中所述高介电膜具有比ＳｉＯ２膜的介电常数高的介电常数；以及　栅极，形成在所述阻挡氧化膜的上方。

【技术特征摘要】
KR 2007-12-28 10-2007-01396221. 一种器件，包括隧道氧化物-氮化物-氧化物(ONO)膜，包括层叠在半导体衬底上方的氧化膜，氮化膜和氧化膜；陷阱氮化膜，形成在所述隧道ONO膜上方；阻挡氧化膜，所述阻挡氧化膜形成在所述陷阱氮化膜上方并由高介电膜形成，其中所述高介电膜具有比SiO2膜的介电常数高的介电常数；以及栅极，形成在所述阻挡氧化膜的上方。2. 根据权利要求1所述的器件，其中，所述阻挡氧化膜包括A1203 膜。3. 根据权利要求1所述的器件,4. 根据权利要求1所述的器件,5. 根据权利要求4所述的器件, 中的一种。6. 根据权利要求1所述的器件, 硅膜和氧氮化硅膜中的一种。其中，所述栅极包括多晶硅。 其中，所述栅极包括金属。 其中，所述栅极包括TiN和TaN其中，所述陷阱氮化膜包括氮化7. 根据权利要求1所述的器件，其中，进一步包括形成在所述半 导体一十底中的源才及区和漏才及区。8. —种器件，包括隧道氧化物-氮化物-氧化物(ONO )膜，包括层叠在半导 体衬底上方的氧化膜，氮化膜和氧化膜；陷阱氮化膜，形成在所述隧道ONO膜的上方；阻挡氧化膜，形成在所述陷阱氮^f匕膜上方；以及金属栅极，形成在所述阻挡氧化膜的上方。9. 根据权利要求8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑真孝，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]