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本发明实施例涉及一种非易失性存储器件及其制造方法。根据本发明实施例，非易失性存储器件可以包括隧道ＯＮＯ膜，该隧道ＯＮＯ膜具有层叠在半导体衬底上和／或上方的氧化膜、氮化膜和氧化膜。该非易失性存储器件还可以包括形成在隧道ＯＮＯ膜上和／或上方的陷...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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