发光二极管芯片制造技术

一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的半导体材料层、以及在所述半导体材料层上设置的导电薄膜层；所述半导体材料层包括Ｎ型氮化镓层、在所述Ｎ型氮化镓层上设置的量子阱层、在所述量子阱层上设置的Ｐ型氮化镓层；在所述导电薄膜层和所述Ｎ型氮化镓层设有正电极和负电极，其特征在于，在所述Ｐ型氮化镓层和所述量子阱层上设置、从其边缘开设的、朝向所述正电极的开槽；所述开槽与所述正电极之间具有间隔。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管芯片，特别涉及具有高出光效率的发光二极管芯片。
技术介绍
氮化镓基发光二极管的发光效率随着外延技术的提升、材料品质的改善而不断得到提升。衡量发光二极管发光效率之一的内量子效率已几乎接近其理论极限，也就是说半导体发光材料在电光转换效率上已远超过其它任何发光光源，为半导体照明奠定了坚实的基础。由于半导体材料与封装用环氧树脂、环氧树脂与空气之间的折射率相差非常大，如对450mm波长而言，氮化镓的折射率为2.45，环氧树脂的折射率为1.4，当光线通过上述界面时，其全内发射角取决于界面两侧材料的介电常数，Θ＝arcsin(n1/n2)对未封装的AlInGaP芯片，其全内反射角为18度，对未封装的GaN芯片其全反射角为27度，相对应的，只有约2％和4％的光可以通过芯片材料和空气的界面逸出。可见，芯片的发光效率几乎取决于芯片的出光效率(萃光效率)或外量子效率。人们采用了各种不同的技术来减少光线的全反射、提升芯片的出光效率。如早在60年代初人们就采用改变芯片外形提升出光效率(W.N.Carr，et al.；Appl.Phys.Lett.，3，173，1963)也可以在发光区底部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的半导体材料层、以及在所述半导体材料层上设置的导电薄膜层；所述半导体材料层包括N型氮化镓层、在所述N型氮化镓层上设置的量子阱层、在所述量子阱层上设置的P型氮化镓层；在所述导电薄膜层和所述N型氮化镓层设有正电极和负电极，其特征在于，在所述P型氮化镓层和所述量子阱层上设置、从其边缘开设的、朝向所述正电极的开槽；所述开槽与所述正电极之间具有间隔。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导电薄膜层为在所述P型氮化镓层上设置的透明导电薄膜层。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述透明导电薄膜层为Ni/Au或ITO或NiO/Au。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，吴启保，王胜国，
申请(专利权)人：方大集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：