发光二极管芯片组结构制造技术

一种发光二极管芯片组结构，其特征在于，包括多个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片装设在一块底板上，所述底板为分别与各个所述发光二极管芯片键合的页状结构。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管芯片，具体涉及一种发光二极管芯片组合的结构。
技术介绍
发光二极管芯片的出光效率是使用发光二极管芯片的关键。当发射点处于球的中心处时，球形芯片可以获得最佳的出光效率。改变芯片的几何形状来提升其出光效率早在60年代就已经应用到二极管芯片，但是由于成本昂贵，一直没有得到实际应用。在实际应用中，往往是制作特殊形状的芯片来提高侧向出光的利用效率，也可以在发光区底部(正面出光)或者外延层材料(背面出光)进行特殊的几何规格设计，并在适当的区域涂覆高防反射层薄膜，来提高芯片的侧向出光利用率。这种芯片往往是单一较大的芯片101，安装在底板102上(如图1所示)。然而，据研究微芯片阵列可以增加芯片的发光效率。一般认为，微芯片阵列提高了外量子的效率。外量子效率的提高得益于微芯片阵列中芯片周边面积的增加，一般微芯片直径约10μm，芯片厚度约1μm，芯片表面积与周边面积之比可达1∶1.4，显然芯片周边面积提供了更多的出光表面积。而且，出现了微环芯片、微柱芯片等不同形状的芯片，来增加芯片的表面积。在相同条件下，微环芯片、微柱芯片和平面芯片的发光效率之比为2∶1.3∶1。但是，在同样的面积下，使用微芯片阵列往往需要对每一个芯片配置一个单独的安装底板，这样的结构不但增加了成本，而且需要将每个芯片与每个底板单独安装，增加了工序，使得操作极为不便。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，提供一种具有大出光效率、结构简单、成本低的发光二极管芯片组结构。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种发光二极管芯片组结构，包括多个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片装设在一块底板上，所述底板为分别与各个所述发光二极管芯片键合的页状结构。上述发光二极管芯片组结构所述的多个发光二极管芯片可以排列成方形阵列、矩形阵列、或不规则阵列。上述发光二极管芯片组结构所述的发光二极管芯片尺寸为100μm-5000μm。其最佳尺寸为200μm-450μm。上述发光二极管芯片组结构所述的所述发光二极管芯片数量根据所述底板和所述发光二极管芯片本身的大小为基数个或偶数个。一般情况下，选择采用偶数个，例如两个、四个、六个、或八个等等。上述发光二极管芯片组结构所述的底板包括基板、在所述基板上形成的第一层绝缘薄膜、在所述第一层绝缘薄膜上蒸镀的第一层导电薄膜、在所述第一层导电薄膜上依次均匀蒸镀上的第二层绝缘薄膜、第二层导电薄膜、第三层绝缘薄膜、第三层导电薄膜、第四层绝缘薄膜以及第四层导电薄膜。或者，所述底板包括基板、在所述基板上设置的第一层绝缘薄膜，在所述第一层绝缘薄膜上依次蒸镀的第一层导电薄膜、第二层绝缘薄膜、以及第二层导电薄膜。或者，所述底板包括铜基板、在基板上均匀沉积的第一导电薄膜、在所述第一导电薄膜上依次蒸镀的第一绝缘薄膜、第二导电薄膜、第二绝缘薄膜。所述导电薄膜上设有与所述发光二极管芯片键合的导电凸点。所述发光二极管芯片独立连接、串联连接或并联连接在所述底板上。与现有技术相比，本技术发光二极管芯片组结构的多个发光二极管芯片安装在同一底板上，从而在相同的面积下，多个发光二极管芯片的周边面积提供了更多的出光表面积，增大了发光二极管芯片的发光效率。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术发光二极管芯片组结构作进一步说明，附图中图1是现有单一发光二极管芯片安装示意图。图2是本技术发光二极管芯片组结构第一实施例的示意图。图3是根据图2的A-A剖面线的省略发光二极管芯片的剖视示意图。图4是根据图2的B-B剖面线的省略发光二极管芯片的剖视示意图。图5是本技术发光二极管芯片组结构第二实施例的示意图。图6是根据图5的C-C剖面线的省略发光二极管芯片的剖视示意图。图7是本技术发光二极管芯片组结构第三实施例的示意图。图8是根据图7的D-D剖面线的省略发光二极管芯片的剖视示意图。图9是本技术发光二极管芯片组结构第四实施例的示意图。图10是本技术发光二极管芯片组结构第五实施例的剖视示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术的发光二极管芯片组结构作进一步详细的描述。如图2、图3、图4所示，本技术发光二极管芯片组结构的第一实施例，包括多个发光二极管芯片201，所述发光二极管芯片201装设在一块底板202上，所述底板202为分别与各个所述发光二极管芯片201键合的页状结构。所述发光二极管芯片的数量可以根据底板和芯片的大小设置，可以是奇数个也可以是偶数个，一般采用偶数个，例如两个、四个、六个、八个等等。在本实施例中，所述发光二极管芯片201为两个，其尺寸为350μm，当然，其尺寸还可以在100μm至5000μm之间，其最佳尺寸为200-450μm。所述发光二极管芯片201可以是不同材料的芯片，如GaN、GaAs、AnGap等等，也可以采用不同波长的芯片，例如红光芯片、黄光芯片、蓝光芯片、绿光芯片等等。相对应的，所述底板202上设有分别与各个发光二极管芯片201键合的导电凸点，所述导电凸点包括正导电凸点203a、203c和负导电凸点203b、203d。所述底板202包括基板204，第一层绝缘薄膜205，第一层导电薄膜206，第二层绝缘薄膜207，第二层导电薄膜208、第三层绝缘薄膜209、第三层导电薄膜210、第四层绝缘薄膜211以及第四层导电薄膜212，从而组成页状结构。所述基板可以为单晶硅片、氧化铝陶瓷等绝缘材料做成，也可以为铜、铁等导电材料做成，在本实施例中，所述基板采用氧化铝陶瓷，其厚度为0.65mm，呈矩形或方形；其上表面用于制作多层导电薄膜为抛光镜面。经去油去污清洗后，采用电子束蒸发技术在基板204上均匀沉积SiO2，形成所述第一层绝缘薄膜205，其厚度为2.5祄。再采用等离子体溅射技术在第一层绝缘薄膜205上均匀蒸镀第一层导电薄膜205，所述第一层导电薄膜205采用纯金，其厚度为5000A。采用电子束蒸发技术并结合浮离工艺，在第一层导电薄膜205上均匀蒸镀上第二层绝缘薄膜207和第二层导电薄膜208，第三层绝缘薄膜209和第三层导电薄膜210，第四层绝缘薄膜211和第四层导电薄膜211。绝缘薄膜207、209、211的厚度为1.5祄和导电薄膜208、210、212为纯金，厚度为6000A。浮离后，可分别在第二层绝缘薄膜207、第二层导电薄膜208、第三层绝缘薄膜209、第三层导电薄膜210、第四层绝缘薄膜211和第四层导电薄膜212的边缘开设不同深度的台阶，使得第一层导电薄膜205、第二层导电薄膜208、第三层导电薄膜210和第四层导电薄膜200上具有制备正电极213a、213c和负电极213b、213d的长条矩形平台；并且在第二层绝缘薄膜207、第二层导电薄膜208、第三层绝缘薄膜209、第三层导电薄膜210、第四层绝缘薄膜211和第四层导电薄膜212上开设用于制备导电凸点203a、203b、203c和203d的圆形开孔。通过浮离工艺在第一导电薄膜205、第二导电薄膜208、第三导电薄膜210、第四导电薄膜212分别制备正电极213a、213c和负电极213b、213d，以及分别制备导电凸点203a、203b、203c和203d，作为发光二极管芯片的键合点。所述发光二极管芯片201分别独立的连接在所述底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片组结构，其特征在于，包括多个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片装设在一块底板上，所述底板为分别与各个所述发光二极管芯片键合的页状结构。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片组结构，其特征在于，所述多个发光二极管芯片可以排列成方形阵列、矩形阵列、或不规则阵列。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片组结构，其特征在于，所述发光二极管芯片的尺寸为100μm-5000μm。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片组结构，其特征在于，所述发光二极管芯片的尺寸为200μm-450μm。5.根据权利要求3所述的发光二极管芯片组结构，其特征在于，所述发光二极管芯片数量根据所述底板和所述发光二极管芯片本身的大小为基数个或偶数个。6.根据权利要求3所述的发光二极管芯片组结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为为两个、四个、六个、或八个。7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片组结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，吴启保，王胜国，
申请(专利权)人：方大集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：