【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发光二极管芯片，具体涉及一种发光二极管芯片组合的结构。
技术介绍
发光二极管芯片的出光效率是使用发光二极管芯片的关键。当发射点处于球的中心处时，球形芯片可以获得最佳的出光效率。改变芯片的几何形状来提升其出光效率早在60年代就已经应用到二极管芯片，但是由于成本昂贵，一直没有得到实际应用。在实际应用中，往往是制作特殊形状的芯片来提高侧向出光的利用效率，也可以在发光区底部(正面出光)或者外延层材料(背面出光)进行特殊的几何规格设计，并在适当的区域涂覆高防反射层薄膜，来提高芯片的侧向出光利用率。这种芯片往往是单一较大的芯片101，安装在底板102上(如图1所示)。然而，据研究微芯片阵列可以增加芯片的发光效率。一般认为，微芯片阵列提高了外量子的效率。外量子效率的提高得益于微芯片阵列中芯片周边面积的增加，一般微芯片直径约10μm，芯片厚度约1μm，芯片表面积与周边面积之比可达1∶1.4，显然芯片周边面积提供了更多的出光表面积。而且，出现了微环芯片、微柱芯片等不同形状的芯片，来增加芯片的表面积。在相同条件下，微环芯片、微柱芯片和平面芯片的发光效率之比为2∶1.3∶1...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片组结构，其特征在于，包括多个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片装设在一块底板上，所述底板为分别与各个所述发光二极管芯片键合的页状结构。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片组结构，其特征在于，所述多个发光二极管芯片可以排列成方形阵列、矩形阵列、或不规则阵列。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片组结构，其特征在于，所述发光二极管芯片的尺寸为100μm-5000μm。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片组结构，其特征在于，所述发光二极管芯片的尺寸为200μm-450μm。5.根据权利要求3所述的发光二极管芯片组结构，其特征在于，所述发光二极管芯片数量根据所述底板和所述发光二极管芯片本身的大小为基数个或偶数个。6.根据权利要求3所述的发光二极管芯片组结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为为两个、四个、六个、或八个。7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片组结构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，吴启保，王胜国，
申请(专利权)人：方大集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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