【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件,具体说是关于锗硅肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管因其具有多数载流子工作、响应速度快和无少子积累等特征而被广泛的用于高频、高速、探测等方面。在本技术做出前,传统的锗硅肖特基二极管自下而上依次有欧姆接触电极,硅衬底层,锗硅外延层,开有窗口的氮化硅层,在氮化硅窗口中置有镍硅化合物层,氮化硅窗口上复盖铝电极,这种结构的锗硅肖特基二极管的锗硅与氮化硅接触面积大,界面缺陷多,导致器件漏电流大。制作过程中,采用先在硅衬底上生长锗硅层,再在锗硅层上面生长一层氮化硅。由于锗硅材料在高温下会发生应变弛豫,因而只有采用低温沉积氮化硅,这给随后的器件隔离及集成工艺带来较大限制。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种结构新颖的锗硅肖特基二极管,以提高锗硅肖特基二极管原型器件的质量。本技术的锗硅肖特基二极管包括硅衬底、锗硅层、开有窗口的氮化硅层、镍硅化合物层、铝电极以及欧姆接触电极,欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层自下而上依次迭置,锗硅层和镍硅化合物层在氮化硅层的窗口内,其中镍硅化合物层在锗硅层的上面,在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的铝电极。本技术的锗硅肖特基二极管的制作方法,包括以下步骤1)将清洗好的硅衬底放入低压化学气相沉积装置中,在700~800℃下以SiH2Cl2和NH3为气源生长一层氮化硅层,氮化硅的厚度为0.5~0.6μm;2)在600℃下以硅烷为气源在氮化硅表面生长一层二氧化硅层,二氧化硅的厚度为0.2~0.3μm;3)在二氧化硅层表面光刻出窗口,用180℃的热磷酸去掉窗口处裸露的氮化硅层;4)放入超高真空化学气相沉积装置中生 ...
【技术保护点】
一种锗硅肖特基二极管,包括硅衬底(1)、锗硅层(2)、开有窗口的氮化硅层(3)、镍硅化合物层(4)、铝电极(5)以及欧姆接触电极(6),其特征在于欧姆接触电极(6)、硅衬底(1)和开有窗口的氮化硅层(3)自下而上依次迭置,锗硅层(2)和镍硅化合物层(4)在氮化硅层(3)的窗口内,其中镍硅化合物层(4)在锗硅层(2)的上面,在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层(4)接触的铝电极(5)。
【技术特征摘要】
1.一种锗硅肖特基二极管,包括硅衬底(1)、锗硅层(2)、开有窗口的氮化硅层(3)、镍硅化合物层(4)、铝电极(5)以及欧姆接触电极(6),其特征在于欧姆接触电极(6)、硅衬底(1)和开有窗口的...
【专利技术属性】
技术研发人员:叶志镇,吴贵斌,唐九耀,赵星,刘国军,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:实用新型
国别省市:86[中国|杭州]
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