【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种多晶锗硅肖特基二极管。
技术介绍
多晶锗硅肖特基二极管主要应用在一些并不需要很高的整流比或频率的场合，但是随着对器件要求越来越高，希望能够在不提高器件成本的情况下，获得高整流比的多晶锗硅肖特基二极管。但是目前多数多晶锗硅肖特基二极管采用横向器件结构，导致器件的整流特性降低，反向漏电流大。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种具有高整流比的多晶锗硅肖特基二极管。本技术的多晶锗硅肖特基二极管包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。多晶锗硅肖特基二极管的制作方法，包括以下步骤1)将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，通入纯氧于900～1200℃下热氧化一层0.2～0.3μm的二氧化硅层；2)利用电子束蒸发在热氧化后的硅片上蒸镀一层厚为30～60nm的金属镍或金属钴；3)将镀好镍或钴的样品放入超高真空化学气相沉积装置中，500～600℃下，通入纯硅源与以氢气为载气的锗烷，锗烷的体积含量为锗烷与氢气混和气体的10％，纯硅烷跟锗烷与氢气混和气体的流量比为5∶5，生长室压强10～70Pa，生长多晶锗硅薄膜，锗硅薄膜厚为0.5～1μm；4)在步骤3)所得制品上涂上一层光刻胶，并光刻出窗口；5)利用锗硅选择性腐蚀溶液，将未被光刻胶覆盖的锗硅腐蚀掉；6)将腐蚀好的样品去掉光刻胶后，放入溅射设备中，在多晶锗硅层上溅射金属层，然后在350～450℃下进行合金化至少10分钟。上述的锗硅选择性腐蚀液由体积浓度为6％的氢氟酸稀释溶液、体积浓度为30％的双氧水溶液...
【技术保护点】
一种多晶锗硅肖特基二极管，其特征在于包括自下而上依次迭置的硅衬底（１）、二氧化硅层（２）、镍硅化物或钴硅化物层（３）、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层（３）上面的多晶锗硅层（４）与欧姆接触电极（６）以及迭在多晶锗硅层（４）上面的势垒金属层（５）。
【技术特征摘要】
1.一种多晶锗硅肖特基二极管，其特征在于包括自下而上依次迭置的硅衬底(1)、二氧化硅层(2)、镍硅化物或钴硅化物层(3)、...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，吴贵斌，赵星，刘国军，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]
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