一种优化的多晶栅极氧化硅硬质掩膜去除方法技术

本发明专利技术优化的多晶栅氧化硅硬质掩膜去除方法解决了现有技术硬质掩膜去除过程中对于浅沟槽和氧化栅侧壁的二氧化硅损耗较多的问题，本发明专利技术提出一种优化方案，将硬质掩膜的去除分布到侧墙、自对准工艺流程设计中，显著降低了湿法去除的使用量，从而将浅沟槽和氧化栅的二氧化硅的损耗降到最低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺，尤其涉及。
技术介绍
硬质掩膜的使用是在130纳米工艺以下多晶硅栅极制作工艺中比较常见的的一种方法。使用硬质掩膜具有较多的优势，比如能够更好的控制关键尺寸，能够降低刻蚀过程中的缺陷产生等，但是同时硬质掩膜的去除工艺也会带来一些负面效果，尤其体现在浅沟槽和氧化栅的二氧化硅的损耗上。目前为止，传统的多晶栅极的硬质掩膜去除都是在多晶栅极刻蚀完成以后使用湿法刻蚀一次性去除所有的硬质掩膜，这种方法虽然可以一步到位，但是相对应的，浅沟槽和氧化栅侧壁的二氧化硅的损耗也相对较多，在65纳米以及以下的工艺上，这正成为一个技术瓶颈，亟待突破。现有技术中常规的硬质掩膜去除工艺为图1是现有技术中多晶硅栅极刻蚀完成后的结构示意图，请参见图1，一般在90纳米以下工艺中，多晶栅极的硬质掩膜使用二氧化硅类的物质，厚度一般控制在10(Γ500Α;在多晶栅极的刻蚀过程中，硬质掩膜一般会有5(Γ300Α的损耗，会剩下5(Γ300Α ；去除硬质掩膜可以使用以氢氟酸为基础的各种二氧化硅湿法刻蚀液体。图2是现有技术中硬质掩膜通过湿法刻蚀去除后的结构示意图，请参见图2，由于湿法刻蚀各向同性的特性，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏峥颖，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：