含水酸性溶液和蚀刻溶液以及使单晶和多晶硅衬底表面织构化的方法技术

一种含水酸性溶液以及一种适于织构化单晶和多晶硅衬底表面的含水酸性蚀刻溶液：氢氟酸、硝酸和至少一种具有表面活性的阴离子聚醚；一种使单晶和多晶硅衬底表面织构化的方法，包括如下步骤：(1)使衬底的至少一个主表面与所述含水酸性蚀刻溶液接触；(2)使所述衬底的所述至少一个主表面在一定温度下蚀刻一定时间，从而足以获得由凹陷和凸起构成的表面织构；和(3)使所述衬底的所述至少一个主表面与所述含水酸性蚀刻溶液脱离接触；以及一种使用所述溶液和所述织构化方法生产光伏电池和太阳能电池的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种新型含水酸性溶液和一种用于使单晶和多晶硅衬底表面织构化的新型含水酸性蚀刻溶液。此外，本专利技术还涉及一种使用所述新型含水酸性蚀刻溶液使单晶和多晶硅衬底表面织构化的新型方法。引用文献本申请所引文献通过引用全文并入本申请中。
技术介绍
正如现有技术所已知的那样，单晶和多晶硅晶片可根据已知和常规方法生产。因此，单晶和多晶娃晶片可通过切割娃锭或砖而生产。单晶娃锭例如以Czochralski (CZ)法，通过从熔炉中所含的熔融硅中缓慢拉出籽晶轴而生产。多晶硅可通过在坩埚中在刚好高于其熔融温度下加热硅碎片而生产。这使得硅碎片生长在一起，从而形成块状硅块。将该块体切割成砖。最后，用线锯将所述锭或砖切割成晶片。然而，由于具有数Pm深度的晶体缺陷是电子-空穴配对复合的中心，必须在锯后进行锯损伤蚀刻。通常将包含氢氟酸和硝酸的含水酸性蚀刻溶液用于该目的。在移除锯损伤之后，借 助含水酸性蚀刻溶液对硅晶片表面进行织构化，优选直至达到4-5 μ m的蚀刻深度。织构化在衬底表面处产生一定的粗糙度，从而能多重反射其表面上的入射光，由此导致更多的衬底内部光吸收，即，导致提高的光局限效应。以此方式获本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.01 US 61/378,9501.一种含水酸性溶液，其包含: -氢氟酸， -硝酸，和 -至少一种具有表面活性的阴离子聚醚。2.根据权利要求1的含水酸性溶液，其特征在于所述具有表面活性的阴离子聚醚选自线性和支化、水溶性和水分散性氧化烯均聚物和共聚物及其混合物；其中线性氧化烯均聚物或共聚物的至少一个端基为选自羧酸根、硫酸根、磺酸根、磷酸根、二磷酸根、膦酸根和聚磷酸根的阴离子基团；且其中支化氧化烯均聚物或共聚物的至少一个支链的端基为选自羧酸根、硫酸根、磺酸根、磷酸根、二磷酸根、膦酸根和聚磷酸根的阴离子基团。3.根据权利要求2的含水酸性溶液，其特征在于所述端基为硫酸根。4.根据权利要求2或3的含水酸性溶液，其特征在于支化氧化烯均聚物或共聚物的平均至少40%端基为阴离子基团。5.根据权利要求2-4中任一项的含水酸性溶液，其特征在于所述氧化烯选自氧化乙烯、氧化丙烯及其混合物。6.根据权利要求2-5中任一项的含水酸性溶液，其特征在于所述线性和支化氧化烯共聚物包含呈统计、交替或嵌段分布的共聚单体单元。7.根据权利要求2-6中任一项的含水酸性溶液，其特征在于所述氧化烯选自氧化乙烯、氧化丙烯及其混合物。8.根据权利要求2-7中任一项的含水酸性溶液，其特征在于所述支化氧化烯均聚物和共聚物可通过使用至少一种具有至少3个羟基的多元醇作为引发剂分子聚合一种氧化烯或共聚至少2种不同的氧化烯，并将至少一个支链的一个羟基端基转化成阴离子基团而制备。9.根据权利要求8的含水酸性溶液，其特征在于所述多元醇选自脂族、脂环族和芳族多元醇及其低聚物和聚合物。10.根据权利要求1-9中任一项的含水酸性溶液，其特征在于其包含基于所述溶液总重量为Ippm至0.1重量％的至少一种具有表面活性的阴离子聚醚。11.根据权利要求ι- ο中任一项的含水酸性溶液，其特征在于其包含基于所述溶液总重量为0.5-50重量％的氢氟酸。12.根据权利要求1-11中任一项的含水酸性溶液，其特征在于其包含基于所述溶液总重量为0.5-50重量％的硝酸。13.根据权利要求1-12中任一项的含水酸性溶液，其特征在于其包含至少一种不同于氢氟酸和硝酸的酸。14.根据权利要求13的含水酸性溶液，其特征在于所述酸选自乙酸、硫酸、磷酸和六氟硅酸。15.根据权利要求1-14中任一项的含水酸性溶液在单面蚀刻方法和用于在暴露于电磁辐射时产生电的器件生产过程中形成脱粘区域、用于形成在晶片粘合方法中所用的粗糙表面、用于形成杀菌结构和用于形成抗粘合剂结构中的用途。16.—种适于织构化单晶和多晶娃衬底表面的含水酸性蚀刻溶液,所述溶液包含: -氢氟酸，-硝酸，和 -至少一种具有表面活性的阴离子聚醚。17.根据权利要求17的含水酸性蚀刻溶液，其特征在于所述具有表面活性的阴离子聚醚选自线性和支化、水溶性和水分散性氧化烯均聚物和共聚物及其混合物；其中线性氧化烯均聚物或共聚物的至少一个端基为选自羧酸根、硫酸根、磺酸根、磷酸根、二磷酸根、膦酸根和聚磷酸根的阴离子基团；且其中支化氧化烯均聚物或共聚物的至少一个支链的端基为选自羧酸根、硫酸根、磺酸根、磷酸根、二磷酸根、膦酸根和聚磷酸根的阴离子基团。18.根据权利要求17的含水酸性蚀刻溶液，其特征在于所述端基为硫酸根。19.根据权利要求17或18的含水酸性蚀刻溶液，其特征在于支化氧化烯均聚物或共聚物的平均至少40%端基为阴离子基团。20.根据权利要求17-19中任一项的含水酸性蚀刻溶液，其特征在于所述氧化烯选自氧化乙烯、氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·布劳恩，A·克里普，C·勒格尔格普费特，C·比特纳，M·沈，C·林，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：
国别省市：