碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法技术

公开了一种肖特基势垒二极管及其制造过程。这种过程在碳化硅晶片上的掩蔽区域中形成一金属接触图案。一个优选实施例包括一个在掩模的窗口中蚀刻的绝缘层。一个惰性边缘末端在氧化层下方邻近金属接触部分的位置处注入晶片中以便改进可靠性。还可以加入另一个氧化物层以便改进表面对物理损坏的抵抗力。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及1999年12月7日提交的序号为09/455,663的美国专利申请，其在此引入作为参考。本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种形成于碳化硅基底上的肖特基势垒二极管。众所周知，碳化硅(SiC)为一种用于制作如肖特基势垒整流器和金属氧化物半导体场效应晶体管之类的装置的优良基底材料。SiC的属性通常被认为理想适用于高压应用中，因为其产生低开态电阻和大约小于2纳秒的低反向恢复时间。如申请书‘627中所述，本专利技术人的先前工作已经公开了边缘末端和表面钝化处理改进了半导体装置的坚固度。这种公开于专利申请书‘627中的制作方法以及其它以前的方法需要使用多次光刻和精确的掩模对准来产生可靠的装置。公开于专利中请书‘627中的专利技术涉及三步光刻和两步对准，能够产生改进的产品，但是需要昂贵的过程。另外，对准步骤必须在较旧的制作设施上通常没有的现代化设备上实现。本专利技术提供了一种更为简单的制作过程，其能够在较不高级的设备上完成，而具有相同或者更高的性能特征。因此，本专利技术的一个目的是提供一种肖特基势垒二极管以及一种具有最少工序的制作方法。本专利技术的另一个目的是提供一种无需多次光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在ＳｉＣ晶片上制作肖特基势垒二极管的方法，包括以下步骤：（ａ）将一个具有窗口的掩模安放于ＳｉＣ晶片的表面上；（ｂ）将导电材料沉积于掩模和晶片表面的露出部分上；（ｃ）剥落掩模以便留下沉积于晶片表面的部分上的导电 材料；以及（ｄ）将一边缘末端层注入晶片至其表面下方但是不在导电材料下方。

【技术特征摘要】
US 2001-6-28 09/894,0841.一种用于在SiC晶片上制作肖特基势垒二极管的方法，包括以下步骤(a)将一个具有窗口的掩模安放于SiC晶片的表面上；(b)将导电材料沉积于掩模和晶片表面的露出部分上；(c)剥落掩模以便留下沉积于晶片表面的部分上的导电材料；以及(d)将一边缘末端层注入晶片至其表面下方但是不在导电材料下方。2.根据权利要求1所述的用于在SiC晶片上制作肖特基势垒二极管的方法，还包括以下步骤(a)在安放掩模之前，在晶片的表面上形成一绝缘层；(b)将掩模施加于绝缘层上；以及(c)在沉积导电材料之前，蚀刻掉位于窗口内的绝缘层部分以便使位于其下方的SiC晶片露出。3.根据权利要求2所述的用于制作肖特基势垒二极管的方法，还包括对SiC晶片表面的露出部分应用一种处理的步骤。4.根据权利要求2或3所述的用于制作肖特基势垒二极管的方法其特征在于，形成绝缘层的步骤包括形成一氧化物层。5.根据前述权利要求中任一项所述的用于制作肖特基势垒二极管的方法，其特征在于，注入边缘末端层的步骤包括注入惰性离子。6.根据权利要求5所述的用于制作肖特基势垒二极管的方法，其特征在于，惰性离子包括氩离子。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：D阿洛克，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]