温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种肖特基势垒二极管及其制造过程。这种过程在碳化硅晶片上的掩蔽区域中形成一金属接触图案。一个优选实施例包括一个在掩模的窗口中蚀刻的绝缘层。一个惰性边缘末端在氧化层下方邻近金属接触部分的位置处注入晶片中以便改进可靠性。还可以加入另一个氧...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。