肖特基二极管制造技术

本发明专利技术肖特基二极管具有由位于半导体基体或基板内之一掺杂井顶侧之一薄金属层及／或金属硅化物所形成之一肖特基结。与ＣＭＯＳ井上之低阻抗接触之制程不同，在较佳实施例中，一精准的钛不被施加至高掺杂接触区域，而是被施加至掺杂井之轻掺杂半导体材料，例如高电压晶体管制造用之ＨＶ井。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于可在CMOS制程内容中制造的肖特基二极管。如果施加做为表面接触之一金属层至一微弱的导电掺杂的半导体材料，于半导体材料之一边缘区域内-邻近金属-形成一个与电荷载子有关之被充满(enrich)或空乏(deplete)的层，依据所使用的材料而定。在一空乏边缘层的情况中，所获得的金属半导体接触因此具有可与半导体材料中之pn结相比较的特性。此种类似二极管金属半导体接触是由W.Schottky(肖特基)所专利技术，因此被称为肖特基二极管。肖特基二极管具有以高电阻为特性之逆向(inverse direction)，以及一顺向(forward direction)，于顺向中，肖特基二极管可依据所施加之电压的极性而操作。虽然肖特基二极管没有习知具有pn结的二极管的阻挡能力，但其可以被一小顺向电压所区别。因此，在CMOS技术中也有肖特基二极管的需要，尤其是在高频电路中。然而，在CMOS制程中制造肖特基二极管是困难的，因为现有的半导体层对肖特基二极管而言通常具有太高的掺杂。在CMOS制程的内容中，为了制造晶体管，被互补地掺杂的井区(doped well)在一个通常是p导电半导体基体或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基二极管，具有：一弱导电掺杂井（２），被形成于一半导体基体或一基板（１）内；一金属层位于该井（３）之上用以形成具有侧面边缘之肖特基结；以及至少一接触区域（４），其为了具有该掺杂井（２）中之一侧边界之低阻抗接触 连接而被高度掺杂，特征在于，该金属层系一薄金属层，一接触孔填充之衬垫（７），一金属硅化物层（１０）或一金属硅化物层（１０）之上的衬垫；该接触区域（４）具有一格栅形状，手指状或类似梳状的结构，或具有不规则曲线，分枝状或有裂缝的 边缘，以及该肖特基结之边缘被设计为是长的及／或大的曲线，不规则曲线，分枝状或有裂...

【技术特征摘要】
DE 2001-1-11 10101081.81.一种肖特基二极管，具有一弱导电掺杂井(2)，被形成于一半导体基体或一基板(1)内；一金属层位于该井(3)之上用以形成具有侧面边缘之肖特基结；以及至少一接触区域(4)，其为了具有该掺杂井(2)中之一侧边界之低阻抗接触连接而被高度掺杂，特征在于，该金属层系一薄金属层，一接触孔填充之衬垫(7)，一金属硅化物层(10)或一金属硅化物层(10)之上的衬垫；该接触区域(4)具有一格栅形状，手指状或类似梳状的结构，或具有不规则曲线，分枝状或有裂缝的边缘，以及该肖特基结之边缘被设计为是长的及/或大的曲线，不规则曲线，分枝状或有裂缝的。2.如权利要求第1项之肖特基...

【专利技术属性】
技术研发人员：J迪特尔，H塔迪肯，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]