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本发明肖特基二极管具有由位于半导体基体或基板内之一掺杂井顶侧之一薄金属层及／或金属硅化物所形成之一肖特基结。与ＣＭＯＳ井上之低阻抗接触之制程不同，在较佳实施例中，一精准的钛不被施加至高掺杂接触区域，而是被施加至掺杂井之轻掺杂半导体材料，例如...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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