肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种肖特基二极管，包括硅衬底、硅外延层、二氧化硅、Ｐ↑［＋］保护环、金属硅化物、扩散阻挡层和金属电极层；硅衬底上生长有硅外延层，外延层上沉积有二氧化硅，硅衬底和硅外延层为Ｎ型半导体硅材料，在硅外延层中具有Ｐ型导电性的保护环，Ｐ↑［＋］区与外延层形成一单边突变ＰＮ结，与肖特基结并联，金属硅化物在二氧化硅的窗口内，在二氧化硅的窗口上依次覆盖扩散阻挡层和金属电极层。有益效果是：由于采用了Ｐ↑［＋］保护环、新的金属硅化物肖特基势垒形成工艺和综合管芯设计及工艺参数循环优化，实现了低噪声、低功耗、超高频等器件技术指标，具有优良的正向和反向特性，提高了肖特基二极管的性能。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体二极管器件，特别是涉及一种肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管是基于半导体物理金属一半导体接触理论发展出来的一 种双端半导体器件。肖特基二极管正向压降低、反向恢复时间短、开关速度 快、噪声系数小、串联电阻小，有良好的高频特性和开关特性，利用肖特基二极管的非线性电阻，还可以作为微波混频器用；作为变容二极管可以应用 于参量放大器；在超高速逻辑电路中可以用其作为快速钳位二极管；肖特基 二极管广泛应用于各种高频、微波及高速电路中，肖特基二极管还特别适用 于开关电源。由于开关电源体积小、重量轻、效率高，所以是取代传统电源 的理想选择，开关电源广泛应用于计算机、雷达、电视机、通讯发射与接收 机、航天器、仪器仪表等方面。现有的肖特基二极管存在以下缺点l.一般未设有保护环，器件反向偏 置时，由于肖特基结极浅，空间电荷区在其拐角处曲率半径很小，故此处的 电场强度很高，可以超过硅的雪崩击穿强度，产生雪崩击穿，导致肖特基二 极管反向击穿电压降低。2.肖特基势垒通常是通过铝等金属材料与半导体接 触形成的，通过这种方式形成的肖特基结处于半导体的表面，所以半导体表 面存在的大量的表面态使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基二极管，包括硅衬底（１）、硅外延层（２）、二氧化硅（３）、Ｐ↑［＋］保护环（４）、金属硅化物（５）、扩散阻挡层（６）和金属电极层（７）；其特征在于：硅衬底（１）上生长有硅外延层（２），外延层（２）上沉积有二氧化硅（３），硅衬底（１）和硅外延层（２）为Ｎ型半导体硅材料，在硅外延层（２）中具有Ｐ型导电性的保护环（４），Ｐ↑［＋］区与外延层（２）形成一单边突变ＰＮ结，与肖特基结并联，金属硅化物（５）在二氧化硅（３）的窗口内，在二氧化硅（３）的窗口上依次覆盖扩散阻挡层（６）和金属电极层（７）。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，包括硅衬底(1)、硅外延层(2)、二氧化硅(3)、P+保护环(4)、金属硅化物(5)、扩散阻挡层(6)和金属电极层(7)；其特征在于硅衬底(1)上生长有硅外延层(2)，外延层(2)上沉积有二氧化硅(3)，硅衬底(1)和硅外延层(2)为N型半导体硅材料，在硅外延层(2)中具有P型导电性的保护环(4)，P+区与外延层(2)形成一单边突变PN结，与肖特基结并联，金属硅化物(5)在二氧化硅(3)的窗口内，在二氧化硅(3)的窗口上依次覆盖扩散阻挡层(6)和金属电极层(7)。2. 根据权利要求1所述的肖特基二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩建军，
申请(专利权)人：天津市立正科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：12[中国|天津]