【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种肖特基(Schottky)势垒二极管的制造方法，特别涉及一种能够降低反向漏电流和正向电能损耗的肖特基(Schottky)势垒二极管制造方法，使肖特基(Schottky)势垒二极管向小型化、低功耗方向发展。
技术介绍
肖特基(Schottky)势垒二极管是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件。由于这种二极管与普通的P-N结构型二极管相比，具有正向压降小、速度快等特点，因此在现代通讯、超高速器件，微波电路以及高速集成电路中具有广泛用途。现有技术中，典型的肖特基二极管结构，见图1所示，其中1是上部电极；2是与硅基片之间形成肖特基势垒的金属，比如钼(Mo)；3是氧化膜等绝缘薄膜；4是P型扩散层，也称为保护环；5是作为二极管的有源层，在这里是N型的外延生长层；6是外延生长层的N型衬底。从电能损失角度看，如何降低二极管在施加正向和反向电压时的电能损失，是一个可以研究的问题。对于肖特基二极管来说，尽管其正向压降相对普通P-N结二极管较小，实际上这种二极管施加正向电压时的电能损失也是个大问题(评价该特性的基准是Vf，此值一般为0.5V)，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种肖特基势垒二极管的制造方法，包括将金属A淀积在硅外延片上形成肖特基势垒的工艺，再在金属A上淀积金属B作为上部电极[1]的工艺，其特征在于在硅外延片上形成金属A肖特基势垒过程中，至少采用两种不同淀积速度形成，其中，最初的淀积速度控制在10/秒以下，下一步的淀积速度控制在50/秒以下；在金属A上淀积金属B时，最初采用逐渐过渡的方法形成一个由金属A过渡到金属B的双金属混合过渡层[7]。2.根据权利要求1所述肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于所述最初的淀积速度小于下一步的淀积速度。3.根据权利要求1或2所述肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于所述最初的淀积速度所对应的淀积温度为350℃±3℃，下一步的淀积速度所对应的淀积温度为250℃～300℃。4.根据权利要求3所述肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于下一步的淀积速度所对应的淀积温度为270℃±3℃。5.根据权利要求1或2所述肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于最初的淀积厚度为1000～1500，下一步的淀积厚度为1500～2000。6.根据权利要求1所述肖特基势垒二极管的制造方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴念博，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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