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一种肖特基势垒二极管的制造方法，包括将金属Ａ淀积在硅外延片上形成肖特基势垒的工艺，再在金属Ａ上淀积金属Ｂ作为上部电极［１］的工艺，其特征在于：在硅外延片上形成金属Ａ肖特基势垒过程中，至少采用两种不同淀积速度形成，其中，最初的淀积速度控制在１...
该专利属于苏州固锝电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州固锝电子股份有限公司授权不得商用。

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