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本实用新型公开了一种肖特基二极管，包括硅衬底、硅外延层、二氧化硅、Ｐ↑［＋］保护环、金属硅化物、扩散阻挡层和金属电极层；硅衬底上生长有硅外延层，外延层上沉积有二氧化硅，硅衬底和硅外延层为Ｎ型半导体硅材料，在硅外延层中具有Ｐ型导电性的保护环，...
该专利属于天津市立正科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津市立正科技发展有限公司授权不得商用。

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