【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种SOI结构的单片集成电路，该电路包括SOI衬底和一个有底电极、电介质和顶电极的电容器。影响传统结构集成电路的主要问题是有源元件和无源元件的电学特性随结构逐渐精细而衰减，这是由于给定元件和硅衬底之间以及各元件之间的寄生电容所致。SOI(绝缘体上的硅)结构针对该问题提供了一种解决办法，其中，每个独立的元件在薄的、完全绝缘的硅岛上制造。因为岛之间没有连接，所以不会发生闩锁效应，因为晶体管的有源功能被局限于薄硅膜上，从而短沟道效应减小。而且，SOI技术使无源元件如电容器、线圈和电阻器并入集成电路中，从而有可能提高电路的集成度。基于电路的实际应用，集成电路已有大量的已知电容器结构。最简单的电容器结构是一个工作在反向偏压下的二极管，但它的电容值强烈依赖于施加的电压。一个电容器提供有用的特性，该电容器包括通过电介质而彼此绝缘的两个电极，并且在衬底上的厚SiO2层上制备。它的底电极一般包括高掺杂的多晶硅，电介质氮化硅，和通常金属化的顶电极。由于SiO2基底，没有p-n结漏电流，该p-n结漏电流在高温时是主要的麻烦。像把电容器集成到单片集成电路中一样，半导体...
【技术保护点】
一种ＳＯＩ结构的单片集成电路，其具有包括绝缘层和有单晶区域的硅半导体层的ＳＯＩ衬底以及电容器，该电容器包括从硅半导体层的单晶区域和包含硅化物的层中形成的底电极、在包含硅化物的层上形成的电容器的电介质、和在电容器的电介质上形成的顶电极。
【技术特征摘要】
DE 2002-3-7 10210044.61.一种SOI结构的单片集成电路，其具有包括绝缘层和有单晶区域的硅半导体层的SOI衬底以及电容器，该电容器包括从硅半导体层的单晶区域和包含硅化物的层中形成的底电极、在包含硅化物的层上形成的电容器的电介质、和在电容器的电介质上形成的顶电极。2.根据权利要求1的SOI结构的单片集成电路，特征在于电容器的电介质包含来自氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的组的电介质材料。3.根据权利要求1的SOI结构的单片集成电路，特征在于电容器的电介质是多层结构，其由包含来自氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的组的电介质材料的多个层构成。4.根据权利要求...
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