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一种ＳＯＩ结构的单片集成电路，其具有包括绝缘层和有单晶区域的硅半导体层的ＳＯＩ衬底以及电容器，该电容器包括从硅半导体层的单晶区域和包含硅化物的层中形成的底电极、在包含硅化物的层上形成的电容器的电介质、和在电容器的电介质上形成的顶电极。...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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