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本实用新型的多晶锗硅肖特基二极管，包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。该多晶锗硅肖特基二极管利用生长过程中形成的镍或钻...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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