贴片式发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种贴片式发光二极管，其包括基板及至少一ＬＥＤ芯片，该基板为陶瓷基板，在其上部设有一个凹陷的封装腔，该封装腔的内壁为向外倾斜的弧面，形成一个反射圈，ＬＥＤ芯片安装在该封装腔中，并在基板的封装腔内设有至少一第一电极及至少第二电极，该第一电极及第二电极均分别伸出至陶瓷基板的底部，该封装腔中ＬＥＤ芯片上方封装有硅橡胶。本实用新型专利技术具有高亮度、散热性能佳、耐焊接温度高的优点。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种贴片式LED，尤指一种采用陶瓷封装的贴片式LED。
技术介绍
发光二极管(light-emitting diode，LED)的应用越来越广泛，目前，市面上的LED主要有如下类别直插式LED(DIP LED)、贴片式LED(SMD LED)、灌胶贴片式LED(TOP LED)及大功率式LED(POWER LED)。其中，直插式LED具有亮度高、光衰较小、散热较理想、耐焊接温度高的优点，而其缺点是体积大、发光角度小，其不适宜自动化作业、仅适宜于大型化使用；贴片式LED的优点是体积小、发光角度大，缺点是亮度较低、散热差、光衰减大、耐焊接温度低，其适宜于小型化小功率使用和自动化作业；灌胶贴片式LED的优点是亮度较高、发光角度大，而缺点是散热较差，其适宜于中小型化使用和自动化作业；大功率式LED的优点是亮度高、散热好、光衰小，缺点是耐焊接温度较低、发光角度小，其不适宜自动化作业、仅适宜于大型化使用。如中国国家知识产权局于2002年1月21日公开了一种名称为“功率型贴片发光二极管”的技术专利，其揭示的功率型贴片发光二极管的基本构成包括同轴的内、外壳体，两壳体采用合金材料，所示实施例中的内壳体呈一端面为凹槽状的圆柱形，发光二极管LED芯片通过银胶固定在该内壳体的凹槽内，外壳体呈与内壳体同轴的空心圆柱状，在内、外壳体之间灌封高透光性能的环氧树脂，发光二极管LED芯片通过一金丝与外壳体相连接。但是，本技术存在如下缺点因为其在内、外壳体之间灌封环氧树脂，其散热性能不佳，这种发光二极管器件通常工作电流只能在30mA以下，而目前大功率、高亮度LED芯片已发展到工作电流最大可达500mA，故现有的贴片发光二极管存在有散热的问题，当温升超过LED芯片所能允许的工作温升上限时，该功率型贴片LED将工作在不稳定状态，光效急剧下降，更无法表现高效LED芯片的优越特性。而在市场上的另外一些贴片LED采用导热良好的铝基板封装的形式，其解决了上述的散热问题，但是由于的铝的热膨胀系数很大，所以其耐温度冲击的可靠性又不佳。为提高LED的发光亮度，国外各大公司、大学和研究机构纷纷投入巨资开发研究高亮度LED芯片和高亮度的封装技术；如日本日亚推出了表面贴装侧光型白色LED，在电流20毫安下，亮度可达到700～1000mcd的高亮度产品。美国LumiLEDs照明公司其白光封装技术可达到20～301m/w，可开发最大发光功率为5瓦特的120lm白光二极管。为了实现高亮度，都遇到目前蓝光LED芯片的光衰大的难题。根据我们对光衰的研究发现，光衰除了LED芯片本身外，还有一个最重要的因素就是温度的影响。
技术实现思路
为了克服现有的贴片LED散热性能不佳、亮度不高或者耐温度冲击的可靠性不佳的不足，而提供一种集合了上述各种LED优点的高亮度、散热性能佳、耐焊接温度高的贴片式发光二极管。本技术采用的技术方案在于种贴片式发光二极管，其包括基板及至少一LED芯片，该基板为陶瓷基板，在其上部设有一个凹陷的封装腔，该封装腔的内壁为向外倾斜的弧面，形成一个反射圈，LED芯片安装在该封装腔中，并在基板的封装腔内设有至少一第一电极及至少第二电极，该第一电极及第二电极均分别伸出至陶瓷基板的底部，该封装腔中LED芯片上方封装有硅橡胶。在所述LED芯片与陶瓷基板之间设有一层银胶。所述LED芯片包括有LED芯片主体、设置在LED芯片主体下面的下面电极及设置在LED芯片主体上面的上面电极。所述LED芯片置于第一电极上，其下面电极与陶瓷基板的第一电极电连接，所述LED芯片的上面电极经金线与第二电极电连接。该陶瓷基板为方形，该封装腔为圆锥形。本技术的有益效果为本技术具有亮度高、耐高低温度冲击性能强、可靠性高、光衰小等优点。附图说明图1是本技术的第一实施例的立体示意图。图2是图1是A-A剖面图。图3是本技术的第二实施例的立体示意图。图4是本技术工作电流与最大光强度的关系曲线图。具体实施方式如图1所示，是本技术的立体示意图。并结合图2所示。本技术的贴片式LED主要包括陶瓷基板1、LED芯片2和内藏该LED芯片的封装体5。该陶瓷基板1大概为方形结构，其上部设有一个凹陷的封装腔3，该封装腔3的内壁为向外倾斜的弧面，形成一个反射圈。LED芯片安装在该封装腔3中，在基板的封装腔内设有二个电极，即第一电极60、第二电极61，该二个电极均分别延伸出至陶瓷基板的底部。LED芯片2包括有LED芯片主体21、设置在LED芯片主体21下面的下面电极22及设置在LED芯片主体21上面的上面电极23。下面电极22由导电性优良的金属材料(例如Ag)形成，覆盖LED芯片主体21的下面整个区域。上面电极23由与下面电极22相同的金属材料形成，覆盖LED芯片主体21的上面整个区域。LED芯片2置于第一电极60上，以便下面电极22与第一电极60电连接。LED芯片2的上面电极23经金线4与第二电极61连接。第一及第二电极60、61例如是铜制或铁制的。其中，在LED芯片2与陶瓷基板1之间设有一层银胶3，其可以将LED芯片产生的热量很快的传导到基板上散发。封装体5由对LED芯片2发出的光透明的硅橡胶形成。硅橡胶体可通过如下的步骤形成首先，在陶瓷基板1中的封装腔的LED芯片贴装位上点上银胶；再将LED芯片平贴在银胶上，通过线焊将LED芯片2的上面电极23与陶瓷基板上的第二电极61连接。其后，把流体的硅橡胶注入该封装腔内，最后使注入的树脂固化。如图3所示，是本技术的第二实施例的立体示意图，在本实施例中，在陶瓷基板的封装腔中同时安装有三种LED芯片(一般为RGB三基色LED芯片)。该三种LED芯片可以并接或分接在陶瓷基板的电极之间。如图4所示，是本技术的工作电流与最大光强度的关系曲线图，图中示出了三条曲线，分别代指采用相同的LED芯片，用不同的封装形式制成的三种不同的封装产品的工作电流与最大光强度的关系曲线图，其中曲线a表示了PCB板模压封装的LED产品的曲线；曲线b表示TOP表面灌注型封装LED产品的曲线；曲线c表示了本技术陶瓷封装LED产品的曲线。从中可以看出，在相同的使用环境下，本技术陶瓷封装LED产品所承受的工作电流最大、所产生的光强度也最大。在本技术中，基板设计利用了高密度陶瓷的亮白性加上内圆的反射圈，增加反射面积，大大提高LED的出光强度；同时高密度陶瓷又具有良好的耐高温性能和热传导性能。另外，由于高密度陶瓷的热膨胀系数比导热良好的铝金属的热膨胀系数要小得多，所以采用高密度陶瓷封装的LED，其耐温度冲击的可靠性能又远远优于目前国外的大功率铝基板封装的LED。发光二极管LED芯片底部与基板的联接采用高导热的银胶，可以将LED芯片所产生的热量很快地传导到陶瓷基板上散发掉。密封胶的设计，由于陶瓷基板的热膨胀系数小，不可使用热膨胀系数较大的环氧A/B胶做密封材料，而采用了耐温高、热膨胀系数小、粘接性强的硅橡胶作为密封胶。由于本技术具有亮度高、耐高低温度冲击性能强、可靠性高、光衰小等优点，故其可广泛应用于如军用器材照明、仪器设备等特殊照明，及一般装饰照明、台灯、草坪灯、显示屏、广告屏等领域。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种贴片式发光二极管，其包括基板及至少一ＬＥＤ芯片，其特征在于：该基板为陶瓷基板，在其上部设有一个凹陷的封装腔，该封装腔的内壁为向外倾斜的弧面，形成一个反射圈，ＬＥＤ芯片安装在该封装腔中，并在基板的封装腔内设有至少一第一电极及至少第二电极，该第一电极及第二电极均分别延伸出至陶瓷基板的底部，该封装腔中ＬＥＤ芯片上方封装有硅橡胶。

【技术特征摘要】
1.一种贴片式发光二极管，其包括基板及至少一LED芯片，其特征在于该基板为陶瓷基板，在其上部设有一个凹陷的封装腔，该封装腔的内壁为向外倾斜的弧面，形成一个反射圈，LED芯片安装在该封装腔中，并在基板的封装腔内设有至少一第一电极及至少第二电极，该第一电极及第二电极均分别延伸出至陶瓷基板的底部，该封装腔中LED芯片上方封装有硅橡胶。2.如权利要求1所述的贴片式发光二极管，其特征在于在所述LED芯片与陶瓷基板之间设有一层...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚伟斌，周春生，胡建华，
申请(专利权)人：深圳市瑞丰光电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]