一种大功率LED制造技术

本实用新型专利技术公开一种大功率ＬＥＤ，该大功率ＬＥＤ包括ＬＥＤ芯片，所述ＬＥＤ芯片设在底座的上端面，所述ＬＥＤ芯片上罩设有透光体，所述底座的侧面包覆有耐高温的陶瓷封装体，所述封装体与底座之间设有两电极，两所述电极一端分别与所述ＬＥＤ芯片上的正负电极连接，另一端延伸至所述底座的下端面。由于所述耐高温的陶瓷封装体可以是陶瓷材料，因此可以耐高温，一方面大功率ＬＥＤ工作产生大量热量时，ＬＥＤ不会发生变形，因此可以提高ＬＥＤ的稳定性；另一方面与ＬＥＤ芯片连接的两电极一端分别延伸至所述底座的下端面，在所述ＬＥＤ与控制ＬＥＤ工作电路进行焊接连接时，也不会因为焊接部位距离封装体近，出现由焊接产生的高温损坏ＬＥＤ现象，因此可以减小大功率ＬＥＤ体积。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED
，特别涉及一种大功率的LED。
技术介绍
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)是一种半导体固体发光器 件，它利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导 体中的载流子发生复合引起光子发射而产生光。由于LED工作电压低、 耗能小、发光效率高等特点，被广泛用于照明、显示等
现有的LED是通过塑胶材料进行封装，由于塑胶材料易成型、成本 低等方面的优势，因此成为现有的LED常用封装材料。但是由于塑胶材 料的导热性能比较差，对于较大功率的LED来说， 一方面LED产生的 热量使塑胶材料发生变形或劣化，从而影响LED稳定性；另一方面LED 的电极需要向塑胶外延伸较长的距离，才能在与控制LED电路焊接连接 时，不会因为焊接产生的高温损坏LED,因此该种LED的体积较大， 无法满足LED小型化的发展需要。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种大功率LED，可以提高 LED的稳定性，同时减小体积。为了解决上述问题，本技术提供一种大功率LED，所述大功率 LED包括LED芯片，所述LED芯片设在底座的上端面，所述LED芯 片上罩设有透光体，所述底座的侧面包覆有耐高温的陶瓷封装体，所述 封装体与底座之间设有两电极，所述两电极一端分别与所述LED芯片上的正负电极连接，另一端从所述底座的下端面伸出。优选地，所述封装体为高温共烧陶资基板HTCC或者低温共烧陶资基板LTCC，其材质包括三氧化二铝A1203、玻璃陶瓷或氮化铝A1N中 的一种或多种。优选地，所述透光体为透镜，所述透镜材质为聚碳酸酯PC或者硅胶。优选地，所述底座为热的良导体。优选地，延伸至所述底座的下端面电极一端"i殳有导电片，所述导电 片与所述电极电连接，与所述底座绝缘。 优选地，所述两电才及相对i殳置。本技术大功率LED，与现有技术相比，由于采用耐高温的陶瓷 封装体对LED进行封装， 一方面大功率LED工作产生大量热量时，LED 不会发生变形，因此可以提高LED的稳定性；另一方面与LED芯片连 接的两个电极一端分别延伸至所述底座的下端面，在所述LED与控制 LED工作电路进行焊接连接时，也不会因为焊接部位距离封装体近，出 现由焊接产生的高温损坏LED现象，因此可以减小LED体积。同时由于底座设有凸台，在所述凸台端面中心位置设有用于配置所 述LED芯片的凹槽，可以使所述透光体与底座接触面积更大，从而使透 光体与结合更紧密。由于在凸台端面中心位置设有凹槽，因此可以确定 所述LED芯片固定位置。所述底座为热的良导体，可以更好将LED产 生的热量传导出去。由于封装体采用耐高温的陶瓷，因此可以起到抗紫 外线和抗氧化。附图说明图1是本技术大功率LED—实施例结构示意图； 图2是本技术大功率LED另一实施例结构示意图； 图3是本技术大功率LED又一实施例结构示意图。 下面将结合具体实施例，参照附图进一步详细说明本技术目的 的实现、功能特点及优点。具体实施方式本技术大功率LED实施例，由于采用耐高温的陶资封装体对 LED进行封装， 一方面大功率LED工作产生大量热量时，LED不会发 生变形，因此可以提高LED的稳定性；另一方面与LED芯片连接的两 个电极一端分别延伸至所述底座的下端面，在所述LED与控制LED工 作电路进行焊接连接时，也不会因为焊接部位距离封装体近，出现由焊 接产生的高温损坏LED现象，因此可以减小大功率LED体积。如图l所示，本技术大功率LED—实施例。所述大功率LED包括LED芯片1,所述LED芯片1设在所述底座 2的上端面，所述LED芯片1上罩设有透光体5，所述底座2的侧面包 覆有耐高温的陶瓷封装体4，所述封装体4与底座2之间设有两个电极 3,所述电极3—端分别与所述LED芯片l上的正负电极连接，另一端 延伸至所述底座2的下端面，用于与控制所述LED工作的电路进行焊接 连接。由于采用耐高温的陶瓷封装体4对LED进行封装，由于采用耐高 温的陶瓷封装体4对LED进行封装， 一方面大功率LED工作产生大量 热量时，LED不会发生变形，因此可以提高LED的稳定性；另一方面 与LED芯片1连4妄的两个电极3 —端分别延伸至所述底座2的下端面， 在所述LED与控制LED工作电路进行焊接连接时，也不会因为焊接部 位距离封装体4较近而出现由焊接产生的高温损坏LED现象，因此可以 减小LED体积。在本实施例中，所述封装体4优选地为陶瓷，比如高温共烧陶覺基 板HTCC或者低温共烧陶乾基板LTCC，其材质包括三氧化二铝A1203、 玻璃陶瓷或氮化铝A1N中的一种或多种，但也可以是其他耐高温材料。 所述底座2为铝，或者其他热的良导体，可将所述LED芯片1产生的热 量迅速传导出去，从而降低大功率LED工作温度。所述透镜材质为聚碳 酸酯PC或者硅胶。所述底座2的上端面可以设有与用于容置所述LED芯片1的凹槽 21;优选地，所述凹槽21设置在上端面中心位置，所述凹槽21的深度低于所述LED芯片1的厚度，在将所述LED芯片1固定在所述凹槽21 中时，由于凹槽21的位置固定，因此在固定时可以方^f更定位，同时所 述凹槽21的深度低于所述LED芯片1的厚度，从而不影响所述LED芯 片1出光角度。所述两电极3分别与所述底座2之间电绝缘。所述透光体5可以是 透镜，通过所述透镜可以对LED芯片l进行保护，同以可以根据需要对 LED芯片l发的光进行汇聚或扩散，当所述透光体5为透镜时，可以在 所述透镜与LED芯片1、底座2之间填充可透光的封装胶，如硅胶或其 他透光材料。优选地，所述两电极3 —端从所述底座2的下端面伸出的长度为所 述封装体4的外边缘到电极3之间距离相等。方便焊接固定所述大功率 LED,同时不增大LED体积。如图2所示，本技术大功率LED在上述施例的基础上还提出另 一实施例。所述大功率LED包括LED芯片1，所述LED芯片1 i殳在所述底座 2的上端面，所述LED芯片1上罩设有透光体5,所述底座2的侧面包 覆有耐高温的陶瓷封装体4,所述封装体4与底座2之间设有两个电极 3,所述电极3—端分别与所述LED芯片1上的正负电极连接，另一端 延伸至所述底座2的下端面。所述底座2i殳有一凸台22,所述凸台22 的端面中心位置设有所述凹槽21。由于所述透光体5与所述封装体4、 LED芯处1、和底座2之间接触面积更大，从而使所述透光体5与底座 2结合更牢固。其他结构及连接关系不变，不再赘述。由于采用耐高温的陶瓷封装体4对LED进^f亍封装， 一方面大功率 LED工作产生大量热量时，LED不会发生变形，因此可以提高LED的 稳定性；另一方面与LED芯片1连接的两个电极3 —端分别延伸至所述 底座2的下端面，在所述LED与控制LED工作电路进行焊接连接时， 也不会因为焊接部位距离封装体4较近而出现由焊接产生的高温损坏 LED现象，因此可以减小LED体积。如图3所示，本技术上述实施例的基础上还提出又一实施例。 在所述电极3延伸至所述底座2的下端面设有导电片6,所述导电 片6与所述电极3电连接，并与所述封装体4固定。所述导电片6的面 积是所述电极3的截面几倍，由于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率ＬＥＤ，其特征在于：所述大功率ＬＥＤ包括ＬＥＤ芯片，所述ＬＥＤ芯片设在底座的上端面，所述ＬＥＤ芯片上罩设有透光体，所述底座的侧面包覆有耐高温的陶瓷封装体，所述封装体与底座之间设有两电极，两所述电极一端分别与所述ＬＥＤ芯片上的正负电极连接，另一端延伸至所述底座的下端面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王非，
申请(专利权)人：深圳市瑞丰光电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]