绿色3W大功率LED的封装结构制造技术

技术编号:3240061 阅读:172 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供了一种绿色3W大功率LED的封装结构,包括金属基板,在金属基板上表面附着氮化铝薄层,薄层上粘贴电极片和3WLED,3WLED与薄层结合的底面为光滑平面,3WLED的管脚由侧面伸出并与电极片焊接连接。本实用新型专利技术由于改善了3WLED、氮化铝薄层及金属基板的结合结构,因此大大降低了整个产品封装后的热阻,提高了散热性能。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种3W LED (发光二极管)的封装结构,属于半导体器件

技术介绍
传统的发光二极管(LED)的封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射 杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250 300 。C/W,因此其只能在20mA的小电流及〈0. l沐的条件下工作。而功率型(〉1W) LED若采用传统 的封装形式,将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄,造成器件的光衰 减加速直至失效,甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。因此传统的发光二 极管封装结构难以适应3WLED器件的散热需要,无法获得稳定的光输出和维持较高的器件寿 命。
技术实现思路
本技术针对现有发光二极管(LED)的封装结构所存在的难以适应3WLED器件的问题,提供一种热阻低、散热良好的绿色3W大功率LED的封装结构。本技术绿色3W大功率LED的封装结构采用以下技术解决方案 该绿色3W大功率LED的封装结构包括金属基板,在金属基板上表面附着氮化铝薄层,薄层上粘贴电极片和3W LED, 3WLED与薄层结合的底面为光滑平面,3W LED的管脚由侧面伸出并与电极片焊接连接。薄层可采用薄膜结构,以进一步减小热阻,但区别于公知技术中以PCB板作为绝缘层的 结构。本技术由于改善了3W LED、薄层及金属基板的结合结构,提高了散热性能。附图说明图1是本技术的结构示意图。 图2是图1的俯视图。图中1、金属基板,2、氮化铝薄层,3、电极片,4、 3W LED, 5、管脚。具体实施方式如图1和图2所示,本技术的3W LED的封装结构中包括有一个金属基板1,金属 基板1的上表面附着氮化铝薄层2,在薄层2上设置粘贴电极片3和3W LED 4。 3W LED4的 底面为光滑平面,而位于侧面的3W LED的管脚5与电极片3焊接连接。权利要求1. 一种绿色3W大功率LED的封装结构,包括金属基板,在金属基板上表面附着氮化铝薄层,薄层上粘贴电极片和3W LED,其特征是3W LED与薄层结合的底面为光滑平面,3W LED的管脚由侧面伸出并与电极片焊接连接。2、 根据权利要求1所述绿色3W大功率LED的封装结构,其特征是所述薄层采用薄膜结构。专利摘要本技术提供了一种绿色3W大功率LED的封装结构,包括金属基板,在金属基板上表面附着氮化铝薄层,薄层上粘贴电极片和3W LED,3W LED与薄层结合的底面为光滑平面,3W LED的管脚由侧面伸出并与电极片焊接连接。本技术由于改善了3W LED、氮化铝薄层及金属基板的结合结构,因此大大降低了整个产品封装后的热阻,提高了散热性能。文档编号F21V19/00GK201262373SQ20082017247公开日2009年6月24日 申请日期2008年10月8日 优先权日2008年10月8日专利技术者吉爱华 申请人:山东华光光电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绿色3W大功率LED的封装结构,包括金属基板,在金属基板上表面附着氮化铝薄层,薄层上粘贴电极片和3W LED,其特征是:3W LED与薄层结合的底面为光滑平面,3W LED的管脚由侧面伸出并与电极片焊接连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吉爱华
申请(专利权)人:山东华光光电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:88[中国|济南]

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