【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，尤指一种适用于氮化镓基(GaN-based)III-V族材料的发光二极管(light-emitting diode，简称LED)者，主要是在一基板(substrate)上成长一多层磊晶结构(multi-layered epitaxial structure)，并以磊晶(epitaxial)的方式成长一适当厚度且透光性较佳的金属氧化层(metal oxide layer，例如ZnO)在多层磊晶结构上，以作为光取出层(light extraction layer)，而构成一氮化镓基LED的发光装置，具有较高的光取出率(light extraction efficiency)及可厚膜化等特性。
技术介绍
按，传统的氮化镓基发光装置，系以Ni/Au结构作为透明电极于P型半导体层表面，而藉以改善发光装置的发光效率；惟，Ni/Au结构本身即具有透光性较为不佳的材质特性，因此，结构特征上，Ni/Au结构的成形厚度极薄，仅可在0.005至0.2μm间；又，根据临界角度θC(CriticalAngle)原则，透明电极...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，包括一基板、一多层磊晶结构、一光取出层、一n型金属电极及一p型金属电极等构成，该多层磊晶结构又包括缓冲层、第一半导体层、光产生层、及第二半导体层等；其特征在于该基板，系可为蓝宝石(sapphire)材质，且基板的上表面可成长一缓冲层；该第一半导体层，系成长于缓冲层上的n型GaN基III-V族化合物半导体层；该光产生层，系成长于第一半导体层上的GaN基III-V族化合物半导体层，或称为活性层，可为GaN多量子井(MQW)；该第二半导体层，系成长于光产生层上的p型GaN基III-V族化合物半导体层；该光取出层，系成长于第二半导体层上可透光的金属氧化层；该n型金属电极，系设置在第一半导体层的露出面上；该p型金属电极，系设置在光取出层上；由此，可构成一氮化镓基LED的发光装置，并可经由后续的晶粒加工、设置、接线、及树脂灌膜封装，而构成一氮化镓基LED。2.根据权利要求1所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于该基板，亦可为碳化硅(SiC)材质。3.根据权利要求1所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于该基板的厚度，可在300至450μm；该缓冲层，系于基板的上表面所形成的LT-GaN/HT-GaN的缓冲层，LT-GaN系为先成长在基板上的低温缓冲层，LT-GaN的厚度可在30至500，HT-GaN系为成长在LT-GaN上的高温缓冲层，HT-GaN的厚度可在0.5至6μm；该第一半导体层的厚度，可在2至6μm；该第二半导体层，可为p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN的磊晶沉积层，厚度可在0.2至0.5μm。4.根据权利要求1所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于该光产生层，亦可为InGaN多量子井(MQW)。5.根据权利要求1所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪详竣，黄振斌，易乃冠，
申请(专利权)人：炬鑫科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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