氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法技术

本发明专利技术是关于一种具较少缺陷密度的氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法，其是先于基板表面利用反应前驱物Ｃｐ↓［２］Ｍｇ及ＮＨ↓［３］进行表面处理，接续再形成一氮化镓系缓冲层于该基板上，以形成一基板与缓冲层间存在有一介面层或介面区域的半导体磊晶结构，此结构能有效地降低后续形成于氮化镓系缓冲层之上的氮化镓系磊晶层的缺陷密度而易获得高品质的磊晶层且能增进缺陷密度的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种，特别是关于一种能够形成具较完美结晶且能大幅度减少差排缺陷的。
技术介绍
现今发光元件中，氮化镓系列材料是非常重要的宽能隙(wide bandgap)半导体材料，其可应用于绿光、蓝光到紫外光的发光元件中。但是，形成块材(bulk)的氮化镓一直是无法克服的技术瓶颈，然而，利用蓝宝石(sapphire)或者碳化硅(SiC)为基板直接磊晶成长一氮化镓层于该基板之上，如此的制程方式所制得的氮化镓层存在相当高的缺陷密度，导致发光效率与电子迁移速度降低而无法获得发光效率较高的发光二极体。。有鉴于此，美国专利第5290393号揭示于蓝宝石基板上在200℃～900℃形成一厚度介于0.001～0.5μm的低温氮化铝镓缓冲层，接续于900℃～1150℃形成一高温氮化铝镓。此一方式虽可提高氮化镓系列的结晶度，但是整个氮化铝镓层的缺陷密度仍高达109～1010cm-2。另一美国专利第6252261号揭示利用横向磊晶法(ELOG)来降低后续磊晶成长的氮化镓层缺陷密度，但是此种方式虽然可以有效降低缺陷密度，但是此种方式必须成长至厚度约10μm，缺陷密度才降至1×108cm-2以下，且于制程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成氮化镓系化合物半导体磊晶层的方法，其特征在于，包含有下列步骤：ａ．提供一基板；ｂ．利用Ｃｐ２Ｍｇ及ＮＨ↓［３］反应前驱物对该基板表面进行表面处理；ｃ．于该基板上形成一低温氮化镓系缓冲层；ｄ．于该低温氮 化镓缓冲层上形成一高温氮化镓系缓冲层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖穆人，
申请(专利权)人：炬鑫科技股份有限公司，赖穆人，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]