高温激光二极管制造技术

一种适于高温工作的半导体激光器结构，该半导体激光器结构具有限制层以将电子限制到有源区（量子阱），并具有分隔的基于锑化物的包层以提供额外的电子限制和光子限制。该结构适于在９８０ｎｍ至１．５５μｍ（微米）的远程通信波长发射激光。该包层使用了ＡｌＡｓＳｂ，其能与ＩｎＰ晶格匹配且能用于获得大的导带偏移。其对于无冷却器（没有热电冷却器）的工作非常有用。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体激光二极管，尤其涉及具有优良温度特性的半导体激光二极管。
技术介绍
半导体激光二极管可分成两组，一组用于短波长应用(λ＝0.78-0.89μm)(1μm＝1微米)而一组用于长波长应用(λ＝0.98-1.6μm)。基于砷化镓(GaAs)的材料系统非常适于短波长应用及目前优良高温性能，但是它们一般不适于超过约1.2μm的应用。然而，现代光远程通信系统是在长波下工作，典型地980nm至1.55μm，因此典型地使用基于磷化铟(InP)的材料，因为它们更适于长波长应用，尤其在1.3至1.6μm，这是典型的信号传输波长范围。InP材料系统通常展现出较差的高温性能，因此为了使基于InP的器件可靠地工作，通常需要外部冷却。在本领域中用整体的热电冷却器来封装半导体激光二极管是公知的，这增大了成本、复杂性及功率消耗。一般地，对激光二极管的高温工作能力的评估是通过使用特征温度T0，如以下等式(1)所概括并与临界电流和工作温度相关联I＝I0exp(T/T0)(1) 其中I是临界电流，I0是比例因数，T是绝对温度(°K)。因此，较高的T0允许较高的工作温度，因为对于较高的T0，临界电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器结构，包含：能发射辐射的有源区，所述有源区不含锑；相邻于所述有源区的限制层，所述限制层适配成将电子限制在有源区中，所述限制层不含锑；以及相邻于所述限制层的包层，所述包层包含锑基（Ｓｂ）合金。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B里德，
申请(专利权)人：波科海姆技术公共有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]