氮化镓系发光二极管的构造制造技术

一种氮化镓系发光二极管的构造，它的主要构造包括有一基板、一ｎ型氮化镓系层、一发光层、一ｐ型氮化镓系层、一织状纹路层、一ｐ型氮化镓系层、一导电透光氧化层、一第一电极及一第二电极；ｎ型氮化镓系层是位于该基板的上方，且具有表面织状化的欧姆接触区域；发光层是位于该ｎ型氮化镓系层的上方；ｐ型氮化镓系层是位于该发光层的上方；织状纹路层是位于ｐ型氮化镓系层的上方；导电透光氧化层是位于织状纹路层的上方，并与织状纹路层形成欧姆接触；第一电极是与ｎ型氮化镓系层具表面织状化的欧姆接触区域电性耦合；第二电极是与导电透光氧化层电性耦合。具有增加其光的萃取效率的功效。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种氮化镓系发光二极管的构造，特指一种发光二极管构造，以增加其光的萃取效率。
技术介绍
如图所示，为传统的氮化镓系发光二极管元件的构造，传统发光二极管1′的外延构造包含一蓝宝石基板10′、一氮化镓缓冲层15′、一n型氮化镓接触层20′、一氮化铟镓发光层30′、一p型氮化镓层40′、一p型氮化镓接触层42′，接着，除去部份的n型氮化镓接触层20′、氮化铟镓发光层30′、p型氮化镓层40′及p型氮化镓接触层42′，而露出部份的n型氮化镓接触层20′的表面，此道制程步骤一般称为MESA制程，接着形成一Ni/Au金属所形成的透明导电层(transparent conductive layer)50′于该p型氮化镓接触层42′之上；另外，一p型金属电极70′位于该透明导电层50′之上，而一n型金属电极60′则位于该n型氮化镓接触层20′的表面上，而形成所谓的横向电极构造。再者，以元件尺寸长宽各为350μm为例，如图2所示，其中，该p型金属电极70′及该n型金属电极60′约占元件总面积约20％，而露出的该n型氮化镓接触层20′的表面部份约占元件总面积约35％，当施加驱动电流于该p本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓系发光二极管的构造，其特征是：它的主要构造包括有一基板、一ｎ型氮化镓系层、一发光层、一ｐ型氮化镓系层、一织状纹路层、一ｐ型氮化镓系层、一导电透光氧化层、一第一电极及一第二电极；该ｎ型氮化镓系层是位于该基板的上方，且具有表面织状化的欧姆接触区域；该发光层是位于该ｎ型氮化镓系层的上方；该ｐ型氮化镓系层是位于该发光层的上方；该织状纹路层是位于该ｐ型氮化镓系层的上方；该导电透光氧化层是位于该织状纹路层的上方，并与该织状纹路层形成欧姆接触；该第一电极是与该ｎ型氮化镓系层具有表面织状化的欧姆接触区域电性耦合；该第二电极是与该导电透光氧化层电性耦合。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓系发光二极管的构造，其特征是它的主要构造包括有一基板、一n型氮化镓系层、一发光层、一p型氮化镓系层、一织状纹路层、一p型氮化镓系层、一导电透光氧化层、一第一电极及一第二电极；该n型氮化镓系层是位于该基板的上方，且具有表面织状化的欧姆接触区域；该发光层是位于该n型氮化镓系层的上方；该p型氮化镓系层是位于该发光层的上方；该织状纹路层是位于该p型氮化镓系层的上方；该导电透光氧化层是位于该织状纹路层的上方，并与该织状纹路层形成欧姆接触；该第一电极是与该n型氮化镓系层具有表面织状化的欧姆接触区域电性耦合；该第二电极是与该导电透光氧化层电性耦合。2.根据权利要求1所述的氮化镓系发光二极管的构造，其特征是该基板更进一步包含有一织状纹路的区域。3.根据权利要求1所述的氮化镓系发光二极管的构造，其特征是该导电透光氧化层是选自下列化合物的至少一种氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化铟铈、氧化锌、氧化铟锌、氧化镁锌、氧化锡镉或氧化铟锡。4.一种氮化镓系发光二极管的构造，其特征是它的主要构造包括有一基板、一n型氮化镓系层、一发光层及一p型氮化镓系层；该n型氮化镓系层是位于该基板的上方，且具有表面织状化的欧姆接触区域；该发光层是位于该n型氮化镓系层的上方；该p型氮化镓系层是位于该发光层的上方。5.根据权利要求4所述的氮化镓系发光二极管的构造，其特征是该p型氮化镓系层的上方更进一步包含有一织状纹路层。6.根据权利要求5所述的氮化镓系发光二极管的构造，其特征是该织状纹路层的上方更进一步包含有一导电透光氧化层。7.根据权利要求4所述的氮化镓系发光二极管的构造，其特征是它更进一步包含一第一电极，该第一电极是与该n型氮化镓系层具有表面织...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖穆人，
申请(专利权)人：炬鑫科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]