本发明涉及一种ＬＥＤ点矩阵显示器的模块装置，包括至少一组基板单元及一组散热单元等构成；其中，该基板单元，可由主基板、第一绝缘体、第二绝缘体、一对端子组等所组成；且该散热单元，可由散热体及一对固定柱等所组成；并可由Ｒ、Ｇ、Ｂ三种不同色系晶...

一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管，其主要结构包括：一基板，位于该发光二极管元件的底端；一半导体层，接于该基板上部，具有一Ｎ型半导体层、一发光层及一Ｐ型半导体层，其中，发光层介于该Ｎ型半导体层与该Ｐ型半导体层之间； ...

一种「氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＬＥＤ的发光装置制造方法」，系可包含以下的步骤：　　　　（ａ）在基板上成长ｎ－ＧａＮ系磊晶沉积层的步骤，利用蓝宝石（ｓａｐｐｈｉｒｅ）或碳化硅（ＳｉＣ）作为基板，且在基板的上表面形成一缓冲层后，再成长一...

本发明是关于一种具较少缺陷密度的氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法，其是先于基板表面利用反应前驱物Ｃｐ↓［２］Ｍｇ及ＮＨ↓［３］进行表面处理，接续再形成一氮化镓系缓冲层于该基板上，以形成一基板与缓冲层间存在有一介面层或介面区域的...

本实用新型是有关于一种具防静电的无导线覆晶式封装的表面黏着型发光二极管，其是利用一覆晶式封装以将一发光二极管芯片进行封装，并利用一电压保护装置，例如：瞬变抑制二极管（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ　ＶｏｌｔａｇｅＳｕｐｐｒｅｓｓｏｒ；ＴＶＳ）或齐纳...

本实用新型揭露一种白光发光二极管，其由一透明导电粘合层将氮化镓的发光二极管与碲化锌或硒化锌为光转换层的基板结合而成，且制作成垂直电极结构，当此氮化镓的发光二极管发出一蓝光波长，而此蓝光部分被碲化锌或硒化锌光转换层所吸收并发出另一黄光波长...

本实用新型是有关于一种氮化镓系发光二极管的垂直电极结构，其是揭示一种氧化物窗户层，使为垂直电极的氮化镓是发光二极管，有效地降低弗列斯涅折射损失（Ｆｒｅｓｎｅｌ　　ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　　ｌｏｓｓ）及全反射（ｔｏｔａｌ　　ｒｅｆｌｅｃｔｉ...

本实用新型揭露一种高密度元件制造结构，适用于至少一元件并实现高密度及高弹性的制造结构。此种高密度元件制造结构包含一基板以及至少一槽孔，而这些槽孔以一阵列的排列于基板之上，其中，槽孔的尺寸与单一个元件尺寸大小相符以一一设置元件于各槽孔内。...

本实用新型公开了一种具有高光萃取效率的氮化镓系发光二极管的结构，其揭示利用一具有凹及／或凸的基板、该发光二极管具有织状纹路表面以及于该发光二极管之上具有一导电透光窗户层，使该发光二极管具有降低工作电压以及增进其光萃取效率。

一种氮化镓系发光二极管的构造，它的主要构造包括有一基板、一ｎ型氮化镓系层、一发光层、一ｐ型氮化镓系层、一织状纹路层、一ｐ型氮化镓系层、一导电透光氧化层、一第一电极及一第二电极；ｎ型氮化镓系层是位于该基板的上方，且具有表面织状化的欧姆接触...

本实用新型涉及一种氮化镓系发光二极管结构，包含一衬底；一半导体堆栈层，接于该衬底的上方，由下而上包含一ｎ型氮化镓系层、一发光层、一ｐ型氮化镓系层；一粗糙化层，位于该ｐ型氮化镓系层的上方；一导电透光氧化层，位于该粗糙化层上方，并与该粗糙化...

本实用新型公开了一种白光发光装置，其揭示该发光元件包含一发光二极管晶粒与一封装层，发光二极管晶粒包含二发光层，封装层封装于发光二极体晶粒的外侧；一第一萤光粉与一第二萤光粉分布于封装层，该二发光层可发射出λ１与λ２波长的光，再利用一第一萤...

本实用新型公开了一种具有固晶或打线辅助辨识记号的发光二极管的结构，其揭示一基板、一半导体堆叠层、一织状纹路层、一导电透光金属层，并于该导电透光金属层设置一第二电极衬垫与二辨识记号，透过该二辨识记号以提高固晶制程或打线制程的生产率；再者，...

一种氮化镓系发光二极管，它包含有一基板、第一型导电半导体层、发光层、第二型导电半导体层、透明导电层以及二个电极，于芯片制程中，通过倾斜某一固定角度的一对或单一钻石刀划片加上后续的裂片制程，使得氮化镓系发光二极管的四个侧面的侧视外观成一梯...

一种氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＬＥＤ的发光装置，包括一基板、一多层磊晶结构、一光取出层、一ｎ型金属电极及一ｐ型金属电极等构成，该多层磊晶结构又包括缓冲层、第一半导体层、光产生层、及第二半导体层等；其特征在于： 该基板，系可为蓝宝...

一种氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体发光装置，包括一基板、一多层磊晶结构、一Ｎｉ／Ａｕ欧姆接触层、一光取出层、一ｎ型金属电极及一ｐ型金属电极等构成，该多层磊晶结构又包括缓冲层、第一半导体层、光产生层、及第二半导体层等；其特征在于： 该...

一种氮化镓基ＬＥＤ的发光装置，包括一基板、一ｎ－ＧａＮ层、一ＭＱＷ活性层、一ｐ－型ＤＢＲ、一接触层、一ｎ型金属电极、及一ｐ型金属电极等构成；其特征在于： 该基板，系可为蓝宝石（ｓａｐｐｈｉｒｅ）材质，基板的上表面可成长一缓冲层，且...

一种白光发光二极管的制造方法及其发光装置，其利用一共振腔结构，来控制白光ＬＥＤ的色度，使得色度的控制较为容易及准确，而能有效降低不良率及产生自然白光，并有助于发光效率的提升；该装置，可包括一共振腔结构、一接触层、一ｎ型金属电极、及一ｐ型...

本发明涉及一种氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法，主要系利用一具有光罩的基板单元磊晶沉积一多层磊晶结构，并由光罩处分离基板单元与多层磊晶结构；其中，该多层磊晶结构，在取出后，可于底部设置一金属反射层，且藉由金属反射层可黏合一导...

一种具有网状金属导电层的发光二极管，其特征在于，其主要结构包括：　　　　一基板，位于该发光二极管元件的底端；　　　　一半导体层，接于该基板上部，具有一Ｎ型半导体层、一发光层及一Ｐ型半导体层，其中，该发光层介于该Ｎ型半导体层与该Ｐ型半导体...