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本发明是关于一种具较少缺陷密度的氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法，其是先于基板表面利用反应前驱物Ｃｐ↓［２］Ｍｇ及ＮＨ↓［３］进行表面处理，接续再形成一氮化镓系缓冲层于该基板上，以形成一基板与缓冲层间存在有一介面层或介面区域的半导...
该专利属于炬鑫科技股份有限公司;赖穆人所有，仅供学习研究参考，未经过炬鑫科技股份有限公司;赖穆人授权不得商用。

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