半导体激光元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：在ｎ型ＧａＮ基板上依次叠层至少由氮化物半导体构成的第一导电型层、活性层和第二导电型层的工序；在由所述工序叠层的晶片上，将规定波导路区域的长度的分隔槽形成为槽的底面比活性层更深的工序；在所述第二导电型层上设置条形凸部，形成由有效折射率关住光的第二波导路的工序；在所述条形凸部下设置包含活性层的条形凸部，形成由完全折射率关住光的第一波导路的工序；将所述晶片以分裂面成为谐振器面的方式在所述分隔槽分裂的分裂工序。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种设有条形脊(凸部)的半导体激光元件，特别是涉及一种使用了GaN、AIN或InN或它们的混合晶即III-V族氮化物半导体(InbAldGa1-b-dN，0≤b，0≤d，b+d＜1)的半导体激光元件。
技术介绍
现在，使用了氮化物半导体的半导体激光元件在应用于诸如能记录与重现DVD等高密度大容量的光盘系统中的需求正在日益增加。因此，在使用了氮化物半导体的半导体激光元件方面正积极地进行研究。使用了氮化物半导体的半导体激光元件能振荡并放出从紫外线至红色广阔光谱范围的可见光，预期其应用范围不仅仅局限于所述光盘系统的光源，还将广泛涉及激光打印机及光学网路等的光源等多领域。特别是，在激光元件的结构方面已有各种研究且已为对横模能有较佳控制的结构也提出了许多建议。其中有脊形波导路结构被视为有发展前途且已被应用于世界上首次开始上市的氮化物半导体激光元件。半导体激光元件的脊形波导路结构因结构简单可使其较易驱动激光振荡，但另一方面在进行大量生产时容易产生特性上的偏差。这是因为脊形波导路结构中凸形长条尺寸的变化会使特性改变，而凸形长条形状的偏差取决于蚀刻的精度，且凸形长条尺寸的精度无法高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：在ｎ型ＧａＮ基板上依次叠层至少由氮化物半导体构成的第一导电型层、活性层和第二导电型层的工序；在由所述工序叠层的晶片上，将规定波导路区域的长度的分隔槽形成为槽的底面比活性层更深的工序；在所述第二导电型层上设置条形凸部，形成由有效折射率关住光的第二波导路的工序；在所述条形凸部下设置包含活性层的条形凸部，形成由完全折射率关住光的第一波导路的工序；将所述晶片以分裂面成为谐振器面的方式在所述分隔槽分裂的分裂工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松村拓明，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]