半导体发光器件的反射腔及其工艺制造技术

本发明专利技术是半导体发光器件的反射腔及其工艺，属于半导体光电器件，特别是半导体发光器件的领域，它是利用单晶硅的各向异性腐蚀特性在单晶硅的（１００）晶面上形成各种立方或长方锥形反射腔，再镀上一层金属（如Ａｕ，Ａｇ或Ａｌ等）作为金属镜面，从而可制得各种ＬＥＤ指示灯，数码管，５×７字符显示或ＬＥＤ列阵等．本发明专利技术的反射腔工艺与通常的半导体器件工艺相容，用这种反射腔制得的ＬＥＤ器件，可使输出光强增加，提高发光效率．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到半导体光电器件，特别是半导体发光器件的反射腔。可用于发光二极管(以下简称LED)以及由LED所构成的LED数码管，LED字符显示和LED列阵图形显示。LED已经广泛地用作各种仪器仪表上的指示灯，数字化仪器仪表上的数码管和字符显示。近年来，砷化镓-镓铝砷双异质结LED的亮度已经达到3～6烛光，不久在某些方面应用上有希望代替照明用灯。然而，一般的LED管芯均很小，约0.1mm2大小，为了增大LED发光管的表观发光面积，提高发光管的发光强度，增加视感度，已经有人设计了各种反射腔，这些反射腔有的是用金属支架(如用可伐合金)冲压而成(如各种仪器仪表用指示灯)，有的是用白塑料形成的各种尺寸的反射腔(如数字化仪器仪表用的数码显示器)。这些在世界上一些国家的专利上已有报导，例如(1)U.S.3820237(1974)，(2)DE 3137685(1983)，(3)特开昭52-126187(1977)，(4)特开昭58-66372(1983)。然而上述的一些方法在制作LED的反射腔时存在一些不足之处当冲压金属支架形成反射腔时，对模具的材料和开模的精度都有很高的要求，所以成本很高，经过试验本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件的反射腔的制作工艺，其特征是在硅单晶片上生长腐蚀保护层后经光刻、腐蚀，镀上反光层而形成的。

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件的反射腔的制作工艺，其特征是在硅单晶片上生长腐蚀保护层后经光刻、腐蚀，镀上反光层而形成的。2.按权利要求1所说的反射腔的制作方法，其特征是所用的硅片为〈100〉晶向，光刻窗孔为方形或长方形，且其一边与〈110〉晶向平行。...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙体忠，
申请(专利权)人：中国科学院上海冶金研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]