半导体晶片结合方法技术

本发明专利技术属于半导体器领域中的一种制造器件的方法，它主要是将含有半导体元件结构的基片腐蚀，另取一具有同导电性的基片，并镀以一透光导电薄膜，再将含半导体元件结构的晶片与该基片夹紧置于高温炉中加热一段时间以结合基片，本发明专利技术既可提高二极管的发光效率，又可以在较低温度下被结合，同时，薄膜层也成为被结合的晶片间不同晶格常数的缓冲层，从而改良了晶体结合介面的结构，因此本发明专利技术具有很好的实用性。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件领域中的一种制造器件方法，尤其是指发光二极管的磊晶片与基片的结合技术。在发光二极管领域，一种常用于提高发光二极管亮度的方法便是采用透明的晶片。以660毫微米(nm)的铝镓砷(AlGaAs)红色发光二极管为例，这类发光二极管的结构，大致可以分为三种。第一种是如附图说明图1中所示的二极管结构，它含有一以带导电性的砷化镓(GaAs)为基片(11)的单异质。单异质结构是生长一带正导电性的AlGaAs层(12)，再生长一带负导电性的AlGaAs层(13)。这种发光二极管的发光亮度为500～800毫坎德拉(mcd)；第二种是如图2中所示的二极管结构，它包含一带正导电性的AlGaAs底层(22)、一未掺杂质的活性AlGaAs中层(23)，以及带一负导电性AlGaAs上层(24)，而其基片是带正导电性的GaAs层(21)。这类发光二极管的发光亮度大约为1.5坎德拉(cd)；第三种是如图3中所示的二极管结构，它类似于第二种结构，它包含有一带正导电性的AlGsAs底层(31)、一未掺杂质的活性AlGaAs中层(32)，以及一带负导电性AlGaAs上层(33)。但是基片则为带本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用透光导电薄膜的半导体晶片结合方法，其特征在于包含有如下步骤： ａ、准备一个含半导体元件的晶片； ｂ、准备第二个半导体基片； ｃ、在第二半导体基片上形成一层透光导电薄膜； ｄ、再将第二个半导体基片与第一晶片紧夹，使透光导电薄膜介于该第二基片与第一晶片之间； ｅ、将紧夹的两晶片置于高温炉中加热一段时间，即可完成晶片的结合。

【技术特征摘要】
1，一种应用透光导电薄膜的半导体晶片结合方法，其特征在于包含有如下步骤a、准备一个含半导体元件的晶片；b、准备第二个半导体基片；c、在第二半导体基片上形成一层透光导电薄膜；d、再将第二个半导体基片与第一晶片紧夹，使透光导电薄膜介...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国欣，陈泽澎，
申请(专利权)人：黄国欣，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]