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半导体晶片结合方法技术
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文档序号:3222823
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本发明属于半导体器领域中的一种制造器件的方法,它主要是将含有半导体元件结构的基片腐蚀,另取一具有同导电性的基片,并镀以一透光导电薄膜,再将含半导体元件结构的晶片与该基片夹紧置于高温炉中加热一段时间以结合基片,本发明既可提高二极管的发光效率,...
该专利属于黄国欣所有,仅供学习研究参考,未经过黄国欣授权不得商用。
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