【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子学领域。在工业电器干扰信号中，常有幅度大于线路噪声容限，而持续时间很短的干扰脉冲，当其持续时间小于某个数值时，并不引起误动作，而此值与电路本身的性能有关。为了定量描述电路自身的这种抗干扰能力，我们引入了动态噪声容限△TN这一指标。选一个脉冲幅度与被测电路的正常输入信号幅度相等的正方波，叠加在输入低电平上，如图1，改变其脉冲宽度△T，总可以找到一个△TL，当△T＜△TL时，电路工作正常，当△T＞△TL时，电路工作不正常，△TL就称为电路的低态噪声容限。同理，选与被测电路正常输入信号幅度相等的负方波，叠加在输入高电平上，如图2，总可以找到一个△TH，当△T＜△TH时，电路工作正常，当△T＞△TH时电路工作不正常，△TH就称为电路的高态动态噪声容限。由于干扰信号是随机的，因而电路的抗干扰能力取决于△TL和△TH中最低者，即△TN＝min(△TL，△TH)……①以门电路为例说明△TL与△TH的物理意义。为讨论简便，我们假设输入、输出信号的上升时间tr、下降时间tf均为0，这时电路的导通延时时间tPHL即为△TL，电路的截止延迟时间tPHL即为△TH。(参...
【技术保护点】
ＨＰ－ＭＯＳ系列集成电路的特征是：在负２４Ｖ±４Ｖ电源下，其高抗干扰端噪声容限ΔＶ↓［Ａ］≥１０Ｖ，并可外接电容调节动态噪声容限ΔＴ↓［Ｎ］的大小，ｔｒ．ｔｆ并不增大，且ΔＴ↓［Ｈ］＝ΔＴ↓［Ｌ］，即在相同频率下，ΔＴ↓［Ｎ］接近最大值，可以方便的与Ｃ－ＭＯＳ、ＬＳ－ＴＴＬ、ＬＨ－ＤＴＬ等集成电路直接连接使用的高抗干扰的Ｅ／ＤＰ－ＭＯＳ集成电路。
【技术特征摘要】
HP-MOS系列集成电路的特征是在负24V±4V电源下，其高抗干扰端噪声容限ΔVA≥10V，并可外接电容调节动态噪声容限ΔTH的大小，tr.tf并不增大，且Δ...
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