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本发明是半导体发光器件的反射腔及其工艺，属于半导体光电器件，特别是半导体发光器件的领域，它是利用单晶硅的各向异性腐蚀特性在单晶硅的（１００）晶面上形成各种立方或长方锥形反射腔，再镀上一层金属（如Ａｕ，Ａｇ或Ａｌ等）作为金属镜面，从而可制得各...
该专利属于中国科学院上海冶金研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海冶金研究所授权不得商用。

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